四方平面无导脚半导体封装件及其制法制造技术

一种四方平面无导脚半导体封装件及其制法，该四方平面无导脚半导体封装件包括：封装胶体、构形为上宽下窄且嵌设于该封装胶体下表面的金属层、埋于该封装胶体中且结合于该金属层上的多个电性连接垫、以及埋于该封装胶体中并电性连接该些电性连接垫的半导体芯片，借由该金属层具有上宽下窄的构形，使得该电性连接垫不易自该封装胶体中脱落，而能提升信赖性。

【技术实现步骤摘要】
四方平面无导脚半导体封装件及其制法
本专利技术涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种四方平面无导脚半导体封装件及其制法。
技术介绍
随着电子产业的逢勃发展，许多高阶电子产品都逐渐朝往轻、薄、短、小等高集积度方向发展，半导体封装结构也发展出许多种不同的电路模块，其中，无导脚半导体封装件是一种特殊电路模块，特征是焊球皆外露于半导体封装件底部，其结合采用表面耦接方式。表面耦接是在半导体与印刷电路板作接合过程中，将封装单元直接焊结至印刷电路板上，使得无导脚半导体封装件的接脚与电路板能够紧密接合。举例而言，如图2A至图2D所示的现有四方平面无导脚半导体封装件2的制法。如图2A及图2A’所示，提供一载体21，其材质为铜，在该载体21上形成芯片座41a及多个个环设于该芯片座41a周围的电性连接垫41b，且如图2A’所示，至少部份该电性连接垫41b延伸有导电迹线42b。如图2B所示，于该芯片座41a顶面上接置半导体芯片51，接着以焊线61电性连接该半导体芯片51与各该电性连接垫41b，之后再于该载体21上形成封装胶体71，以包覆该芯片座41a、电性连接垫41b、半导体芯片51及焊线61。如图2C所示，移除该载体21，以令芯片座41a及电性连接垫41b的底面外露出该封装胶体71的底面。如图2D所示，于该封装胶体71、芯片座41a及电性连接垫41b的底面形成防焊层81，且该防焊层81具有多个外露芯片座41a及电性连接垫41b的部分底面的防焊层开口811，接着于该防焊层开口811中形成焊球91。然而，该半导体封装件2的芯片座41a及电性连接垫41b的侧面大致上呈现平面，容易自该封装胶体71中脱落，影响产品信赖性。因此，如何提供一种四方平面无导脚半导体封装件及制法，以能确保产品的可靠度，实为一重要课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术的主要目的在于提供一种四方平面无导脚半导体封装件及其制法，使得该电性连接垫不易自该封装胶体中脱落，而能提升信赖性。本专利技术的四方平面无导脚半导体封装件，其包括：封装胶体，其具有相对的第一表面及第二表面；金属层，其为上宽下窄的构形，且嵌设于该封装胶体的第二表面上；多个电性连接垫，其埋于该封装胶体中且结合于该金属层的上宽构形上；以及半导体芯片，其埋于该封装胶体中并电性连接该些电性连接垫。前述的半导体封装件及其制法中，该金属层为金属镀层。本专利技术还提供一种四方平面无导脚半导体封装件的制法，其包括：形成多个电性连接垫于一载体上的金属层上；移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以外露出部份该载体，且令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形；接置半导体芯片于该载体上方，并使该半导体芯片电性连接该些电性连接垫；于该载体上形成封装胶体，以包覆该半导体芯片与该电性连接垫及其下方的金属层，且该封装胶体具有相对的第一表面和第二表面，而该封装胶体的第二表面与该载体接触；以及移除该载体，以显露该封装胶体的第二表面与该电性连接垫下方的金属层。前述的制法中，形成该电性连接垫的工艺包括：形成具有多个阻层开口的阻层于该载体的金属层上，以外露出部分该金属层；电镀形成该电性连接垫于该阻层开口中；以及移除该阻层。前述的制法中，该载体为铁合金载体。前述的制法中，该载体的金属层经表面处理而得，且该表面处理的方式为物理气相沉积、电镀、无电镀或溅镀。前述的制法中，其以蚀刻方式移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形。前述的半导体封装件及其制法中，形成该金属层的材质为铜。前述的半导体封装件及其制法中，形成该电性连接垫的材质为Au/Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Cu/Ni/Ag、Au/Ni/Cu/Ag、Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Au或Pd/Ni/Au。前述的半导体封装件及其制法中，该载体的金属层上还具有至少一置晶垫，以设置该半导体芯片，且该些电性连接垫位于该置晶垫周围。前述的半导体封装件及其制法中，还包括形成防焊层于该封装胶体的第二表面上，且该防焊层具有多个外露出该金属层的防焊层开口。还包括形成导电组件于该防焊层开口中。前述的半导体封装件及其制法中，该半导体芯片以导电凸块或焊线电性连接该些电性连接垫。由上可知，本专利技术以铁合金载体取代铜合金载体，可降低使用成本。再者，使用铜作为铁合金载体表面的金属镀层可提升导电电性，有利于形成置晶垫和电性连接垫。此外，根据本专利技术的制法，因预先形成金属层于该载体上，所以封装工艺无需于形成防焊层之前再形成保护层，另一方面，当该封装胶体包覆住金属层时，该金属层上宽下窄的构形会形成锚状嵌卡，避免该置晶垫和电性连接垫自封装胶体中脱落，进一步提升信赖性。附图说明图1A至图1H为显示本专利技术四方平面无导脚半导体封装件的制法示意图，其中，图1E’为显示电性连接垫的剖视放大示意图，图1H'及图1H"为图1H的其它实施例；以及图2A至图2D为显示现有的四方平面无导脚半导体封装件的制法示意图，其中，图2A'为图2A的上视示意图。主要组件符号说明1,1',1″，2半导体封装件10金属层20、21载体30阻层301阻层开口40a置晶垫41a芯片座40b、41b电性连接垫42b导电迹线50、51半导体芯片500粘着材料60、61焊线62导电凸块70、71封装胶体70a第一表面70b第二表面80、81防焊层801、811防焊层开口90导电组件91焊球。具体实施方式以下借由特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术也可借由其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“第一”、“第二”、“第三”及“上”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图1A至图1H为显示本专利技术四方平面无导脚半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，提供于一表面上具有材质如铜的金属层10的载体20。在本实施例中，该载体20的顶面和底面皆具有金属层10，当然也可仅在顶面或底面形成一金属层10。该载体20可为铁合金载体，且预先表面处理该载体20而得金属层10，而该金属层10为金属镀层，如铜。此外，该载体20为铁合金时，其可选自低碳钢、中碳钢、高碳钢、灰铸铁、白铸铁及任何掺杂入其它杂质原子的铁碳二元合金。另外，该表面处理方法包括：物理气相沉积、电镀、无电镀或溅镀。如图1B所示，利用图案化技术，形成具有多个阻层开口301的阻层30于该载体20顶面的金属层10上，以外露出部分该金属层10。如图1C所示，以例如电镀的方式形成多个置晶垫40a和电性连接垫40b于该阻层开口301中。在本实施例中，形成多个置晶垫40a，且该些电性连接垫40b位于用以接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四方平面无导脚半导体封装件的制法，其包括：形成多个电性连接垫于一载体上的金属层上；移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以外露出部份该载体，且令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形；接置半导体芯片于该载体之上，并使该半导体芯片电性连接该些电性连接垫；于该载体上形成封装胶体，以包覆该半导体芯片、该电性连接垫及其下方的金属层，且该封装胶体具有相对的第一表面和第二表面，而该封装胶体的第二表面与该载体接触；以及移除该载体，以显露该封装胶体的第二表面与该电性连接垫下方的金属层。

【技术特征摘要】
2012.09.10 TW 1011329521.一种四方平面无导脚半导体封装件的制法，其包括：提供于一表面上具有金属层的载体；形成多个电性连接垫于该载体上的金属层上；移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以外露出部份该载体，且令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄且侧面为一弧形的构形；接置半导体芯片于该载体之上，并使该半导体芯片电性连接该些电性连接垫；于该载体上形成封装胶体，以包覆该半导体芯片、该电性连接垫及其下方的金属层，且该封装胶体具有相对的第一表面和第二表面，而该封装胶体的第二表面与该载体接触；以及移除该载体，以显露该封装胶体的第二表面与该电性连接垫下方的金属层。2.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，形成该电性连接垫的工艺包括：形成具有多个阻层开口的阻层于该金属层上，以外露出部分该金属层；电镀形成该电性连接垫于该阻层开口中；以及移除该阻层。3.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该载体为铁合金载体。4.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该金属层是经表面处理而得，且该表面处理的方式为物理气相沉积、电镀或无电镀。5.根据权利要求4所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该物理气相沉积方式为溅镀。6.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，形成该金属层的材质为铜。7.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，以蚀刻方式移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形。8.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，形成该电性连接垫的材质为Au/Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Cu/Ni/Ag、Au/Ni/Cu/Ag、Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Au或Pd/N...

【专利技术属性】
技术研发人员：白裕呈，孙铭成，萧惟中，洪良易，林俊贤，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71