本发明专利技术公开了一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺，所述封装件主要由引线框架、镀银层、植球、芯片、键合线和塑封体组成。所述制作工艺的主要流程如下：晶圆减薄→划片→框架镀银层→镀银层上植球→上芯→压焊→塑封→蚀刻引线框架→成品。本发明专利技术的芯片不再需要制作特殊的图形，即可实现不同尺寸的芯片无需特殊设计也能在同一条框架上完成生产流程，节约生产成本，提高产品的生产能力。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺，所述封装件主要由引线框架、镀银层、植球、芯片、键合线和塑封体组成。所述制作工艺的主要流程如下：晶圆减薄→划片→框架镀银层→镀银层上植球→上芯→压焊→塑封→蚀刻引线框架→成品。本专利技术的芯片不再需要制作特殊的图形，即可实现不同尺寸的芯片无需特殊设计也能在同一条框架上完成生产流程，节约生产成本，提高产品的生产能力。【专利说明】—种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架CSP封装件及其制作工艺
本专利技术专利涉及一种基于框架CSP的封装领域，更进一步说是一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架CSP封装件及其制作工艺，属于集成电路封装
。
技术介绍
CSP (Chip Scale Package)封装,是芯片级封装的意思。CSP封装是最新一代的内存芯片封装技术，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，而且线路阻抗显著减小，芯片运行速度也随之得到大幅度提高。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比有极大提高。还具有多输入/输出端数、电性能好和热性能好等特点。现有csp框架产品开发均要先设计框架再开发框架，设计周期以及开发周期都比较长，而且以前一条框架只能封装同一种尺寸的芯片，使得生产成本高和生产效率较低。
技术实现思路
针对上述常规框架的缺陷，本专利技术的目的是提供一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺，使IC芯片在封装过程中不再受框架设计的限制，可以直接和框架连接，省去设计框架的步骤。同时可以满足一条框架实现不同尺寸芯片同时进行封装的先进工艺，不再被以前一条框架只能封装同一种尺寸的芯片，由于芯片不再需要制作特殊的图形，即可实现不同尺寸的芯片无需特殊设计也能在同一条框架上完成生产流程,节约生产成本,提高产品的生产能力。一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件，主要由引线框架、镀银层、植球、芯片、键合线和塑封体组成。所述引线框架与芯片通过镀银层相连，键合线从芯片连接到引线框架上，镀银层上有植球，塑封体包围了引线框架、镀银层、植球、芯片和键合线，芯片、键合线、植球和引线框架构成了电路的电源和信号通道。所述引线框架上有镀银层，镀银层上有植球和芯片，植球在芯片的两端，镀银层、植球和芯片都在引线框架的一侦U。所述引线框架上有若干段镀银层，每段镀银层为不同长度的尺寸，对应的芯片也为不同尺寸的芯片。植球为金、铜或者合金球。键合线为金线、铜线或合金线。一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，主要流程如下:晶圆减薄一划片一框架镀银层一镀银层上植球一上芯一压焊一塑封一蚀刻引线框架一成品。【专利附图】【附图说明】图1为引线框架剖面图； 图2为引线框架镀银后剖面图； 图3为引线框架植球剖面图； 图4为上芯后广品首I]面图； 图5为压焊后产品剖面图； 图6为塑封后产品剖面图； 图7为蚀刻引线框架后产品剖面图和成品剖面图。 图中，I为引线框架，2为镀银层，3为植球，4为芯片，5为键合线，6为塑封体。【具体实施方式】如图所示，一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件，主要由引线框架1、镀银层2、植球3、芯片4、键合线5和塑封体6组成。所述引线框架I与芯片4通过镀银层2相连，键合线5从芯片4连接到引线框架I上，镀银层2上有植球3，塑封体6包围了引线框架1、镀银层2、植球3、芯片4和键合线5，芯片4、键合线5、植球3和引线框架I构成了电路的电源和信号通道。所述引线框架I上有镀银层2，镀银层2上有植球3和芯片4，植球3在芯片4的两端，镀银层2、植球3和芯片4都在引线框架I的一侧。所述引线框架I上有若干段镀银层2，每段镀银层2为不同长度的尺寸，对应的芯片4也为不同尺寸的芯片。植球3为金、铜或者合金球。键合线5为金线、铜线或合金线。一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，主要流程如下:晶圆减薄一划片一框架镀银层一镀银层上植球一上芯一压焊一塑封一蚀刻引线框架一成品。如图所示，一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，其按照如下具体步骤进行: (一)晶圆减薄:减薄厚度50μ m~200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm~0.05mm ； (二)划片:150μπι以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μπι以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺； (三)框架镀银层，镀银层上植球:镀银层2及植球同常规csp工艺，不同的是，镀银层2为若干段，每段镀银层2长度尺寸不同； (四)上芯、压焊、塑封:上芯、压焊、塑封同常csp工艺，不同的是，芯片4的尺寸和镀银层2的尺寸对应； (五)蚀刻引线框架:在产品完成塑封后，使用蚀刻液将引线框架I全部蚀刻后，镀银层2会全部露出，即可做接触点直接形成连通。本专利技术可用于单芯片封装也可用于多芯片堆叠式封装。本专利技术采用一种新型植球工艺，该工艺通过植球，即可实现在框架上直接进行芯片的焊接，省去设计框架的繁琐步骤以及较高的生产成本，此法灵活性高，由于可在同一条框架上同时实现多种尺寸芯片的生产流程，进一步提高产品生产总值，显著提高产品可靠性，并实现降低产品生产成本。【权利要求】1.一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架CSP封装件，其特征在于:主要由引线框架(I)、镀银层(2)、植球(3)、芯片(4)、键合线(5)和塑封体(6)组成；所述引线框架(1)与芯片(4)通过镀银层(2)相连，键合线(5)从芯片(4)连接到引线框架(I)上，镀银层(2)上有植球(3)，塑封体(6)包围了引线框架(I)、镀银层(2)、植球(3)、芯片(4)和键合线(5)，芯片(4)、键合线(5)、植球(3)和引线框架(I)构成了电路的电源和信号通道；所述引线框架(I)上有镀银层(2)，镀银层(2)上有植球(3)和芯片(4)，植球(3)在芯片(4)的两端，镀银层(2)、植球(3)和芯片(4)都在引线框架(I)的一侧；所述引线框架(I)上有若干段镀银层(2)，每段镀银层(2)为不同长度的尺寸，对应的芯片(4)也为不同尺寸的芯片。2.一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，其特征在于:其按照如下具体步骤进行: (一)晶圆减薄:减薄厚度50μ m?200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm?0.05mm ； (二)划片:150μπι以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μπι以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺； (三)框架镀银层，镀银层上植球:镀银层(2)及植球同常规csp工艺，不同的是，镀银层(2)为若干段，每段镀银层(2)长度尺寸不同； (四)上芯、压焊、塑封:上芯、压焊、塑封同常csp工艺，不同的是，芯片(4)的尺寸和镀银层(2)的尺寸对应； (五)蚀刻引线框架:在产品完成塑封后，使用蚀刻液将引线框架(I)全部蚀刻后，镀银层(2)会全部露出，即可做接触点直接本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于不同尺寸芯片采用植球优化技术的框架csp封装件，其特征在于：主要由引线框架（1）、镀银层（2）、植球（3）、芯片（4）、键合线（5）和塑封体（6）组成；所述引线框架（1）与芯片（4）通过镀银层（2）相连，键合线（5）从芯片（4）连接到引线框架（1）上，镀银层（2）上有植球（3）,?塑封体（6）包围了引线框架（1）、镀银层（2）、植球（3）、芯片（4）和键合线（5），芯片（4）、键合线（5）、植球（3）和引线框架（1）构成了电路的电源和信号通道；所述引线框架（1）上有镀银层（2），镀银层（2）上有植球（3）和芯片（4），植球（3）在芯片（4）的两端，镀银层（2）、植球（3）和芯片（4）都在引线框架（1）的一侧；所述引线框架（1）上有若干段镀银层（2），每段镀银层（2）为不同长度的尺寸，对应的芯片（4）也为不同尺寸的芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭小伟，蒲鸿鸣，谢建友，李万霞，崔梦，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：
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