具有多个引线框架的半导体封装及其形成方法技术

本发明专利技术涉及具有多个引线框架的半导体封装及其形成方法。根据本发明专利技术的实施例，半导体封装包括具有第一管芯踏板的第一引线框架、和具有第二管芯踏板和多个引线的第二引线框架。第二管芯踏板被部署在第一管芯踏板之上。半导体芯片被部署在第二管芯踏板之上。半导体芯片在面向第二引线框架的第一侧上具有多个接触区域。多个接触区域被电耦合到多个引线。

Semiconductor package having a plurality of lead frames and method of forming the same

The present invention relates to a semiconductor package having a plurality of lead frames and a method of forming the same. In accordance with an embodiment of the present invention, a semiconductor package includes a first lead frame having a first tube pedal, and a second lead frame having a second tube pedal and a plurality of leads. The second tube pedal is disposed over the first tube pedal. The semiconductor chip is deployed over the second tube pedals. The semiconductor chip has a plurality of contact regions on the first side facing the second lead frame. A plurality of contact regions are electrically coupled to a plurality of leads.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体封装，并且更特别地涉及。
技术介绍
半导体器件在各种电子的和其它的应用中被使用。半导体器件包括，除了别的之夕卜，集成电路或者分立器件，其通过在半导体晶片之上沉积一个或多个类型的材料薄膜来被形成在半导体晶片上的，并且对材料薄膜形成图案来形成集成电路。半导体器件一般地被封装在陶瓷或者塑料主体内来保护半导体器件使其不受物理损坏或者腐蚀。封装同样地支撑连接半导体器件(也被称作管芯或者芯片)到在封装之外的其它器件需要的电接触点。依赖于半导体器件的类型和被封装的半导体器件的意图的用途，许多不同类型的封装是可用的。诸如封装的尺寸、引脚数等之类的典型的封装特征可以除了别的之外遵从来自电子器件工程联合会(Joint Electron Devices EngineeringCouncil，JEDEC)的开放标准。封装也可以被称作半导体器件装配，或者简单地被称为装配。封装的一个关注涉及寄生效应的最小化。这是因为由于寄生电阻、寄生电感等等，封装能够显著地更改其中的半导体芯片的性能。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，半导体封装包括第一引线框架、和被部署在第一引线框架之上的第二引线框架。第二引线框架具有管芯踏板和多个引线。半导体芯片被部署在第二引线框架之上，半导体芯片耦合到多个引线。根据本专利技术的可替换的实施例，半导体封装包括具有第一管芯踏板的第一引线框架、和具有第二管芯踏板和多个引线的第二引线框架。第二管芯踏板被部署在第一管芯踏板之上。半导体芯片被部署在第二管芯踏板之上。半导体芯片在面向第二引线框架的第一侧上具有多个接触区域。多个接触区域被耦合到多个引线。根据本专利技术的还有另一个实施例，形成半导体封装的方法包括:提供具有第一管芯踏板的第一引线框架和提供具有第二管芯踏板和多个引线的第二引线框架。第二管芯踏板被附着到第一管芯踏板。半导体芯片被附着到第二管芯踏板。半导体芯片在面向第二引线框架的第一侧具有多个接触区域。多个接触区域被耦合到多个引线。【附图说明】为了本专利技术及其优点的更全面的理解，现参照连同附图一起采取的下面的描述，在其中: 包括图1A-1D的图1，图示了根据本专利技术的实施例的包括多个引线框架的半导体封装，其中图1A图示了顶视图，图1B图示了在半导体封装之内但没有灌封的组件的顶视图，其中图1C图示了部分顶视图，而其中图1D图示了横截面视图； 包括图2A-2B的图2，图示了根据可替换的实施例的半导体封装； 包括图3A-3B的图3，图示了根据本专利技术的实施例的具有增加的漏电距离的半导体封装； 图4图示了根据本专利技术的实施例的具有洞的第二引线框架； 包括图5A-5B的图5，图示了根据本专利技术的实施例的具有多个引线和管芯踏板的第一引线框架； 图6图示了根据本专利技术的实施例的在半导体封装的制造期间的第一引线框架和第二引线框架的顶视图； 包括图7A-7B的图7，图示了根据本专利技术的实施例的在放置半导体芯片在引线框架之上后正在被制造的半导体封装，其中图7A图示了顶视图，并且其中图7B图示了横截面视图； 包括图8A-8D的图8，图示了根据本专利技术的实施例的在半导体芯片之上形成互连之后正在制造的半导体封装，其中图8A和SB图示了在可替换的实施例中的顶视图，并且其中图8C和图8D图示了在可替换的实施例中的横截面视图； 包括图9A-9B的图9，图示了根据本专利技术的实施例的在灌封之后正在制造的半导体封装，其中图9A图示了顶视图，并且其中图9B图示了横截面视图；并且 图10图示了根据本专利技术的实施例在切单片期间的半导体封装的顶视图。在不同图中的相应的数字和符号一般指的是部件，除非另外指示。图被绘制以清晰地图示实施例的相关方面，而不必按比例绘制。【具体实施方式】各种实施例的制作和使用在下面被详细讨论。应该领会的是，然而，本专利技术提供了许多可应用的专利技术概念，其能够在各种各样的上下文中被具体化。被讨论的实施例只不过是说明制作和使用本专利技术的一些方式的，而不限制本专利技术的范围。功率半导体器件引大量的电流，并且因此对由封装设计引起的寄生损耗非常敏感。寄生组件可以在输入侧(源极侧)或者在输出侧(漏极侧)被引入。这些寄生组价可以由把半导体芯片耦合到封装引线的电连接引起，所述封装引线被用于将封装与外部电路接触。专利技术人已经发现通过封装被引入的寄生组件对于器件性能的影响是非对称的。特别地，在输入侧的寄生元件比在输出侧的寄生元件对于半导体封装的性能要有害得多。因此本专利技术的实施例提供不同的封装设计，其有利减少在半导体封装的输入端的寄生效应。半导体封装的结构的实施例将通过使用图1来被描述。本专利技术可替换的结构的实施例将通过使用图2-5来被描述。制造半导体封装的方法将通过使用图6-10来被描述。包括图1A-1D的图1，图示了根据本专利技术的实施例的包括多个引线框架的半导体封装，其中图1A图示了顶视图，图1B图示了没有灌封的在半导体封装之内的组件的顶视图，其中图1C图示了部分顶视图，而其中图1D图示了横截面视图。参见图1A和1B，半导体封装包括半导体芯片20被部署在其之上的第一引线框架10。第一引线框架10具有多个引线90，其包括第一引线110、第二引线120、和第三引线130。半导体芯片20被耦合到第一引线框架10。第一引线框架10同样包括半导体芯片20被部署在其之上的管芯踏板105(在图1D中被更好地图示)。管芯踏板105和第二引线120(例如，栅基引线)机械地支撑着半导体芯片20。在图示的实施例中，管芯踏板105是对称的，使得第二引线120 (例如，栅基引线)位于中心。然而，在可替换的实施例中，第二引线120可以位于朝向半导体芯片20的一个边缘。第一引线框架10被部署在第二引线框架30之上。第二引线框架30可以高效地从半导体芯片20移除热量。在各种实施例中，第二引线框架30比第一引线框架10厚。在一个或者多个实施例中，第二引线框架30至少两倍于第一引线框架10的厚度。在一个实施例中，第二引线框架30具有大约2.4mm的厚度，而第一引线框架10具有小于Imm的厚度，而封装的厚度可以是大约4.4mmο在一个实施例中这样的尺寸可以遵从封装标准。然而，在可替换的实施例中，附加的散热装置通过使用在第二引线框架30中的、延伸穿过封装的孔或者洞35，可以被附着到半导体封装上。在各种实施例中，半导体芯片20可以包括不同类型的包括集成电路或者分立器件的管芯。在一个或者多个实施例中，半导体芯片20可以包括逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、混合信号芯片和其组合，诸如芯片上的系统之类。半导体芯片20可以包括各种类型的有源和无源器件，诸如二极管、晶体管、晶闸管、电容器、电感器、电阻器、光电器件、传感器、微机电系统等等。在各种实施例中，半导体芯片20可以被形成在硅衬底上。可替换地，在其它实施例中，半导体芯片20可以已经被形成在碳化娃(SiC)上。在一个实施例中，半导体芯片20可以已经至少部分地被形成在氮化镓(GaN)上。在各种实施例中，半导体芯片20可以包括功率半导体器件，其在一个实施例中可以是分立器件。在一个实施例中，半导体芯片20可以是二端器件，诸如PIN 二极管或者肖特基二极管。在一个或者多个实施例中，半导体芯片20可以是三端器件，诸如功率金属绝缘半导体场效应晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其包括：第一引线框架；被部署在第一引线框架之上的第二引线框架，而第二引线框架具有管芯踏板和多个引线；以及被部署在第二引线框架之上的半导体芯片，而半导体芯片耦合到多个引线。

【技术特征摘要】
2012.07.09 US 13/5448341.一种半导体封装，其包括: 第一引线框架； 被部署在第一引线框架之上的第二引线框架，而第二引线框架具有管芯踏板和多个引线；以及 被部署在第二引线框架之上的半导体芯片，而半导体芯片耦合到多个引线。2.根据权利要求1所述的封装，其中， 半导体芯片包括在第一侧上的第一接触区域、在第一侧上的第二接触区域、和在第二侧上的第三接触区域，而第二侧与第一侧相对。3.根据权利要求2所述的封装，其中， 半导体芯片的第一侧面向第二引线框架。4.根据权利要求1所述的封装，其中， 第一引线框架比第二引线框架厚。5.根据权利要求1所述的封装，其中， 半导体芯片包括垂直功率半导体芯片。6.根据权利要求1所述的封装，其中， 半导体芯片与第一引线框架电绝缘。7.根据权利要求1所述的封装，其中， 半导体芯片包括具有在第一侧上的源极区域、在第一侧上的栅极区域、在第二侧上的漏极区域的垂直晶体管，其中第二侧与第一侧相对。8.根据权利要求7所述的封装，其中， 第二引线框架包括耦合到源极区域的管芯踏板，其中多个引线包括耦合到管芯踏板的源极引线、耦合到漏极区域的漏极引线和耦合到栅极区域的栅极引线。9.根据权利要求1所述的封装，其中， 半导体芯片的主要表面由管芯踏板和多个引线中的至少一个引线来支撑。10.根据权利要求1所述的封装，进一步包括: 部署在第一引线框架、第二引线框架和半导体芯片处的灌封，其中灌封具有部署在多个引线处的薄部。11.一种半导体封装，其包括: 具有第一管芯踏板的第一引线框架； 第二引线框架，而第二引线框架具有第二管芯踏板和多个引线，第二管芯踏板被部署在第一管芯踏板之上；以及 被部署在第二管芯踏板之上的半导体芯片，而半导体芯片在面向第二引线框架的第一侧上具有多个接触区域，而多个接触区域被耦合到多个引线。12.根据权利要求11所述的封装，其中， 半导体芯片具有相对于第一侧的第二侧，其中第二侧包括接触区域，其中在第二侧上的接触区域被耦合到多个引线中的引线。13.根据权利要求11所述的封装，进一步包括: 被部署在第一引线框架、第二引线框架和半导体芯片处的灌封。14.根据权利要求13所述的封装，其中，灌封具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：J霍伊格劳尔，R奥特雷巴，K施伊斯，X施洛伊格，J施雷德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：