【技术实现步骤摘要】
本公开涉及具有电隔离特征的半导体器件和相关制造方法。
技术介绍
1、在半导体器件中，在工作期间各个器件部件之间可能会出现高电压差。例如，在电流传感器中，汇流排和布置在其上方的传感器芯片之间可能出现升高的电势差。根据材料特性和器件部件的相对布置，升高的电压差可能导致器件的某些空间区域中产生极高的电场强度。布置在该处的器件部件可能会由于高电场强度而受到磨损，这在最坏的情况下可能导致器件故障。半导体器件制造商和开发商不断努力改进他们的产品。延长器件的使用寿命并确保其持续安全运行可能特别值得注意。
技术实现思路
1、各个方面涉及一种半导体器件。该半导体器件包括导电载体和布置在该载体上的半导体芯片。半导体器件还包括布置在载体和半导体芯片之间的层堆叠，该层堆叠包括多个介电层。层堆叠将半导体芯片和载体彼此电分离。多个介电层中的至少一个介电层涂覆有导电涂层。
2、各个方面涉及一种半导体器件。该半导体器件包括导电载体和布置在该载体上的介电结构。该半导体器件还包括布置在介电结构的安装表面上的半导体芯片。介电结构包括从安装表面突出并围绕半导体芯片的多个凸块。介电结构将半导体芯片和载体彼此电分离。凸块被设计成增加半导体芯片和载体之间的爬电距离。
3、各个方面涉及一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括基于模制技术生产介电晶片，其中介电晶片具有多个凹陷。该方法还包括将介电晶片切单成多个介电壳。该方法还包括将半导体芯片安装在介电壳中。该方法还包括将介电壳安装在导电载体上，其中介电壳将半
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述涂层(20)被设计成减小所述半导体器件的选定的空间区域(14)中的电场强度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述空间区域(14)包括边界区域，在所述边界区域中，所述半导体芯片(4)、所述层堆叠(16)以及包封所述半导体芯片(4)的包封材料(12)彼此邻接。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括：
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求4至6中的一项或多项所述的半导体器件，其中所述电容器的另一电极通过以下项形成：所述载体(2)、所述粘合层(24)、所述固定层(22)、或所述层堆叠(16)的介电层(18)另一导电涂层(20)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中在所述涂层(20)中形成多个开口，所述多个开口被设计成防止在所述涂层(20)中形成涡流。
9.一种半导体器件，包括：
10
11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中所述凸起(28)的几何形状反向于基于所述半导体芯片(4)和所述载体(2)之间的电势差的电场取向。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的半导体器件，还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述导电层(32)的几何形状和相对布置被设计成延长从所述半导体芯片(4)穿过所述介电结构(26)延伸到所述载体(2)的放电路径。
14.根据权利要求12或13所述的半导体器件，其中：
15.根据权利要求9至14中任一项所述的半导体器件，其中所述介电结构(26)直接布置在所述载体(2)上。
16.根据权利要求9至15中任一项所述的半导体器件，其中所述介电结构(26)基于3D打印工艺来制造。
17.根据权利要求9至16中任一项所述的半导体器件，还包括：
18.根据权利要求9至17中任一项所述的半导体器件，还包括：
19.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
21.根据权利要求19或20所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述涂层(20)被设计成减小所述半导体器件的选定的空间区域(14)中的电场强度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述空间区域(14)包括边界区域，在所述边界区域中，所述半导体芯片(4)、所述层堆叠(16)以及包封所述半导体芯片(4)的包封材料(12)彼此邻接。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括：
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求4至6中的一项或多项所述的半导体器件，其中所述电容器的另一电极通过以下项形成：所述载体(2)、所述粘合层(24)、所述固定层(22)、或所述层堆叠(16)的介电层(18)另一导电涂层(20)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中在所述涂层(20)中形成多个开口，所述多个开口被设计成防止在所述涂层(20)中形成涡流。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述凸起(28)包括多个带斜面的...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·沙勒，M·迈尔，V·施特鲁茨，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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