带散热的功率晶体管及其形成方法技术

本发明专利技术涉及带散热的功率晶体管及其形成方法。器件包括：衬底、附接于一侧上的所述衬底的集成电路（IC）管芯、多个位于所述IC管芯的有源侧上的接触焊盘、多个导热且导电支脚，所述支脚中的每一个附接于所述其中一个接触焊盘上、以及形成于所述衬底、所述IC管芯和所述支脚的一部分周围的封装材料。所述支脚中的每一个的接触端部被暴露，并且所述接触端部的其中一个传导来自所述IC管芯内的晶体管的信号。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。器件包括：衬底、附接于一侧上的所述衬底的集成电路（IC）管芯、多个位于所述IC管芯的有源侧上的接触焊盘、多个导热且导电支脚，所述支脚中的每一个附接于所述其中一个接触焊盘上、以及形成于所述衬底、所述IC管芯和所述支脚的一部分周围的封装材料。所述支脚中的每一个的接触端部被暴露，并且所述接触端部的其中一个传导来自所述IC管芯内的晶体管的信号。【专利说明】
本公开通常涉及功率晶体管，更确切的说，涉及带散热的功率晶体管。
技术介绍
由于高热量和大电流的一些结合，功率晶体管通常产生大量的热量。散热能力对于使用功率晶体管的产品在预期寿命期间保持功能性功率晶体管非常重要。而且在某些产品，例如汽车产品中，可靠性可以是一项极其重要的问题。像不依赖于热量的高电流密度一样，热量本身可以变得有破坏性。电流和热量是相关的，但是如果电流密度变得太高，导电路径中接头处的热量的降解会退化，最终失败。因此，需要提供改善上面提出的一个或多个问题的带散热的功率晶体管。【专利附图】【附图说明】本专利技术通过举例的方式说明并不被附图所限制，在附图中类似的参考符号表示类似的元素。附图中的元素说明是为了简便及清晰，不一定按比例绘制。图1是在工艺中的一个阶段的功率晶体管器件结构的截面图；图2是对图1的功率晶体管器件结构有用的散热结构的截面图；图3是图2的散热结构的底视图；图4是包括安装图2的散热结构的过程中的后续阶段的图1的功率晶体管器件结构的截面图；图5是在过程中的后续阶段的图4的功率晶体管器件结构的截面图；图6是图5的功率晶体管器件结构的顶视图；图7是在过程中的后续阶段的图5和图6的功率晶体管器件结构的顶视图；图8是图7的功率晶体管器件结构的截面图；图9是在被安装到印刷电路板之后的图8的功率晶体管器件结构的截面图；以及图10是图1和图4-图9的有功率晶体管的管芯(die)的简化顶视图。【具体实施方式】一方面，有至少一个功率晶体管的功率管芯被安装到封装衬底。金属散热器被成形为类似于有桌面和几个支脚的桌子。支脚被附接于功率管芯上的电连接。封装被执行以便暴露桌面并且使其与封装的顶面共面。桌面被切割以便功率管芯的电连接分别地延伸到作为桌面的一部分的封装顶面。桌面的一部分然后可以方便地附接于印刷电路板。这导致了功率管芯所接触的是金属桌面上的相对大的金属部分，从此电流密度被降低并且功率被消散。图1所显示的是功率晶体管器件结构10 ;具有封装衬底12(其可以是flag)、引线14、引线15、安装到衬底12顶面的控制集成电路16、具有有源表面19的功率管芯18、将引线14电连接到集成电路16的丝线键合20、以及将功率管芯18电连接到控制集成电路16的丝线键合22。在这个例子中，对功率管芯18的控制是通过控制集成电路16实现的。引线15可以不一定被电连接，但形成支撑衬底12的引线框的一部分。图1所显示的常规的引线框包括衬底12、引线14、和引线15，并且还包括图1中未显示的其它引线和连接。功率管芯18包括至少一个功率晶体管并且可以被认为是集成电路管芯。在图2中显示为截面图的是散热结构24，散热结构24是金属，金属可以是铜，并且散热结构24被形成为形状和桌子的形状相似。在图2中显示为截面图部分的是可以被认为是桌面26的连续上部分和可以被认为是支脚28、30和32的从桌面26向下延伸的分开的部分。在图3中显示为底视图并且显示了图2的截面的位置的是进一步显示了支脚34、36和38的散热结构24。这里显示了在阵列中的支脚28、30、32、34、36和38，其中支脚28、30和32组成一排，支脚34、36和38组成另一排。支脚28、30、32、34、36和38可以分别有正方形截面。正方形可以是最有效的方式，但圆长方形也可以有效。尺寸可以改变，但有可能在毫米范围内。一个例子可以是截面图可以是约I平方毫米(mm)，高度约2mm。另一个例子可以是0.5平方毫米，高度也可以不同。图4所显示的是在通过附接材料40、42和44分别将支脚28、30和32安装到功率管芯18之后安装散热结构24之后的功率晶体管器件结构10。支脚34、36和38也被安装到功率管芯18，但是没有在这个截面图中显示。附接材料40、42和44都是导电和导热的并且可以是一种导电粘合剂。其它连接技术，例如焊接，可以被使用。功率管芯18被设计以便外部连接对齐到支脚28、30、32、34、36和38。附接材料也可以是焊料以改进性能，但可能会增加成本，尤其在修改管芯方面。图5所显示的是在封装之后的功率晶体管器件结构10 ;封装导致了封装材料46有平坦的顶面48，顶面48与桌面26的也是平坦的顶面共面。引线,例如引线14和15，部分位于封装材料46内并且部分从封装材料46延伸。图6所显示的是如图5所显示的功率晶体管器件结构10的顶视图。这里显示了桌面26的顶面50以及封装材料46的顶面48。图7所显示的是在形成凹槽52、54和56以产生来自桌面26的外部接触58、60、62、64、66和68之后的功率晶体管器件结构10的顶视图。凹槽52、54和56可以通过使用被用于切割管芯的工具形成，其中合适的深度被设置以确保桌面26被切割但是没有深到对功率晶体管器件结构10的其它部分造成任何损害。确保丝线键合不在凹槽形成的路径上很重要。在图7中所显示的方向，凹槽52可以被认为是在X轴方向并且凹槽54和56可以被认为是在Y轴方向。去除桌面26的一些部分以形成外部接触58、60、62、64、66和68也可以通过其它方式完成，而不是例如使用激光器进行切割。图8所显示的是与图1、图4和图5的截面图类似的截面图，但与图7所显示的过程处于同一阶段。这里显示了从功率管芯18到功率晶体管器件结构10外部的三个连接；其中的第一连接是通过附接材料40、支脚28和外部接触58;其中的第二连接是通过附接材料42、支脚30和外部接触60 ;并且其中的第三连接是通过附接材料44、支脚32和外部接触62。这里也显示了凹槽54和58充分延伸以便外部接触58、60和62相互分开。图9所显示的是在将功率晶体管器件结构10连接到有键合焊盘74、76和78的印刷电路板72之后的安装好的功率器件70。外部接触58通过附接材料80被连接到键合焊盘74。外部接触60通过附接材料82被连接到键合焊盘76。外部接触62通过附接材料82被连接到键合焊盘78。没有在图中显示的引线也将附接于印刷电路板72以将功率晶体管器件结构10保持在适当位置。使用大电流从功率管芯18通过附接材料40、支脚28和外部接触58传导的例子，由于支脚28和外部接触58的相对较大的截面，电流密度相对较低。这降低了由大电流密度引起的空隙的形成。与铝相比较，铜是一种相对较好的导体使得由于增大的截面和相比于铝而言铜的增强的传导性，电压降落更小。此外，相对较大的截面导致了有利的散热。与散热、电流密度以及电压降落相关的一个或多个益处可以被用于增加电流容量、寿命和/或可靠性。图10所显示的是管芯18，显示了有耦合于丝线键合22的控制电极、耦合于附接材料40的第一电流电极、以及耦合于附接材料42的第二电流电极的示例功率晶体管90。使用附接材料、支脚和外部接触的其它连接也可以被实现用于管芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将功率管芯附接于引线框；将散热器附接于所述功率管芯的有源表面，其中所述散热器是导热且导电的;所述有源表面包括导电的键合焊盘；以及所述散热器包括平坦表面和附接于所述平坦表面一侧的多个支脚，所述支脚的每一个附接于所述键合焊盘中相应的一个；模塑封装材料以包围所述功率管芯、所述引线框和所述散热器的所述支脚，其中所述平坦表面的顶侧通过所述封装材料被暴露；以及切穿所述支脚之间的所述平坦表面以形成电相互独立的外部接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁珉，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：