一种中小尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法技术

本发明专利技术属于LED芯片技术领域，具体公开了一种采用背面隐形切割并且切割深度小于25微米的切割工艺，解决了因斜裂问题而导致良率偏低、亮度偏低等技术问题。提高了良品率和LED灯具的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体LED芯片
，涉及发光二极管芯片制造工艺，特指发光二极管芯片及其制作工艺。
技术介绍
由于超高亮度GaN蓝宝石LED的波长范围在38纳米至540纳米之间，用途广泛，包括室内外的彩色显示、交通信号指示、IXD背照明光源以及白色照明光源等，但在其生产规模迅速扩大、成本不断降低的过程中，GaN/蓝宝石LED芯片切割崩裂一直是需要解决的技术难题之一。这是因为GaN/蓝宝石比一般的GaAs，GaP等化合物半导体材料要坚硬的多， 用砂轮刀具切割(dicing saw)磨损极大，切人量甚微，1994年日本日亚公司率先将金刚石刀具用于GaN/蓝宝石LED芯片切割。21世纪初以来，国外及我国台湾地区逐渐在GaN器件规模化生产中采用激光划片技术。与金刚刀划片相比，激光划片优势明显首先是激光划片产量高；其次激光划片的成品率高，激光划片为全自动操作，人为因素影响小，且一人可操作多台设备，因此其稳定性及重复性有保证。由于激光划痕宽度小于5微米，因此切割道的宽度也可减小，这样就可增加单位面积上的管芯数。LED芯片切割技术的完善与提高，对于LED产业规模化生产具有重大的意义。其地位日趋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割崩裂制作方法，其特征在于：在蓝宝石背面镀有DBR光学反射膜，芯片背面切割深度小于25微米，崩裂方式为跳格劈裂方式。

【技术特征摘要】
1.一种提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割崩裂制作方法，其特征在于在蓝宝石背面镀有DBR光学反射膜，芯片背面切割深度小于25微米，崩裂方式为跳格劈裂方式。2.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于芯片的切割方式为隐形切割。3.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割劈裂制作方法， 其特征在于所述反射层材料可以是氧化物。4.根据权利要求2所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片制作方法，其特征在于所述隐形切割工艺为背切工艺，劈裂跳劈方式。5.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦扬，
申请(专利权)人：鹤山丽得电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：