The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a gate stack structure and grid side wall on the substrate, the gate stack structure and the side grid side wall substrate are respectively formed in the source region and the drain region formed in the drain region; selective barrier layer, the barrier layer covering the drain region and the source region of exposure; the extension is formed in the source area exposed to enhance the source region; remove the barrier. According to the invention discloses a semiconductor device manufacturing method, selectively formed on the source side only raised source region so as to form the asymmetrical structure, to reduce the parasitic resistance of the source side and the drain side of the parasitic capacitance, effectively improve the performance of the device.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,更具体地,涉及一种半导体器件制造方法尤其是具有非对称源漏结构的MOSFET的制造方法。
技术介绍
随着集成电路工艺持续发展,特别是器件尺寸不断等比例缩减,传统的MOSFET中各种寄生效应变得越来越突出。例如源漏寄生电阻在长沟道时远小于沟道区电阻而可以忽略,但是随着器件等比例缩小、沟道区本征电阻减小,源漏区电阻特别是接触电阻随着尺寸减小而迅速增加,使得等效工作电压下降。此外,源漏与栅极之间还存在寄生电容,其中包括由于边缘电场效应,栅极电力线穿过侧墙、层间介质等进入源漏区而引起的寄生电容,这些寄生电容可以导致器件响应速度恶化,降低器件高频性能。因此需要减小上述这些寄生电阻和寄生电容。现有技术中对于减小寄生效应采取的措施包括在源漏区中/上均形成金属硅化物或者均提升源漏来同时减小源区、漏区的寄生电阻,还包括精确控制栅极高度、栅极侧墙线条、栅极侧墙组分以减少寄生电容。然而上述这些方法在源区和漏区两侧上处理工艺都是相同的,也即形成的器件结构是对称的。并且,提升源漏由于减少了电力线由栅极穿过侧墙至源漏的距离,会增加边缘寄生电容。实际上,栅极与漏极之间的覆盖电容是跨接在输入端栅极与输出端漏极之间的密勒(Miller)电容,在反相放大电路中会因为放大器的放大作用而使得等效到输入端的电容值会扩大1+K倍(K是该级放大电路电压放大倍数),因此由于这种Miller效应使得漏极一侧寄生电容对于器件性能的影响要大于源极一侧寄生电容的影响。此外,由于在器件开启情况下,源端寄生电阻使源端电压发生变化,从而改变栅源电压,对NMOS来 ...
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成栅极堆叠结构以及栅极侧墙,在栅极堆叠结构以及栅极侧墙两侧衬底中分别形成源区和漏区;在漏区上选择性形成阻挡层,其中阻挡层覆盖漏区并且暴露源区;在暴露的源区上外延形成提升源区;去除阻挡层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成栅极堆叠结构以及栅极侧墙,在形成阻挡层之前,在栅极堆叠结构以及栅极侧墙两侧衬底中分别形成相同导电类型的完全对称的源区和漏区;在漏区上选择性形成阻挡层,其中阻挡层覆盖漏区并且暴露源区,阻挡层材料与栅极侧墙以及栅极堆叠结构顶部的刻蚀停止层的材料均不同;在暴露的源区上外延形成与源区和漏区导电类型相同的非对称提升源区;去除阻挡层。2.如权利要求1的半导体器件制造方法,其中,阻挡层材料与衬底材料不同。3.如权利要求1的半导体器件制造方法,其中,在漏区上选择性形成阻挡层的步骤进一步包括:在整个器件上形成阻挡材料层;在阻挡材料层上形成光刻胶图形,覆盖漏区上的阻挡材料层并且暴露源区上的阻挡材料层;刻蚀暴露的源区上的阻挡材料层,仅留下漏区上的部分阻挡材料层而构成阻挡层;去除光刻胶图形。4.如权利要求1的半导体器件制造方法,其中,提升源区包括Si、SiGe、Si:C及...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹海洲,朱慧珑,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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