基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法技术

本发明专利技术公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。【专利说明】
本专利技术涉及一种功率场效应管，具体涉及一种。
技术介绍
功率场效应(MOS)管在反压较高时，由于外延层承担反压，其外延层的电阻率较大及厚度较厚，而导致外延层电阻占整体导通电阻的比例最大，因此，通过改善外延层电阻来提升功率MOS管性能的效果最明显。目前，比较流行的方法是采用类似超级结SuperJunction的3D结构，如图1所示，类似Super Junction的3D结构从两个方面减小外延层电阻。一方面，将承担反压的空间本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于沟槽方式的通道分压场效应管的生产方法，其特征是包括如下步骤：（1）在N+衬底（4）上生长P型外延层（5）；（2）在P型外延层（5）上光蚀刻出多条条状沟槽，且各条状沟槽均一直蚀刻到N+衬底（4）界面；（3）在条状沟槽的下部填充n+型单晶硅；（4）在条状沟槽的上部填充P型单晶硅，并清洁表面；（5）在剩余P型外延层（5）上再次光蚀刻出多条条状槽；每条条状槽均处于2条条状沟槽之间；（6）在步骤（5）所得晶体的表面生长氧化层（9），该氧化层（9）位于条状槽的底部和侧壁、P型外延层（5）的上表面、以及P型单晶硅的上表面；（7）在覆盖有氧化层（9）的条状槽中沉积良导体（8），并在功能区外连接到一起形成栅...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：关仕汉，李勇昌，彭顺刚，邹锋，王常毅，
申请(专利权)人：桂林斯壮微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：