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本发明公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大...
该专利属于桂林斯壮微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林斯壮微电子有限责任公司授权不得商用。

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