半导体集成晶体管封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。本实用新型专利技术从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。

【技术实现步骤摘要】
半导体集成晶体管封装结构
本技术涉及半导体制造技术，具体为一种半导体集成晶体管封装结构。
技术介绍
封装结构是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，所述外壳不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装结构的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。由于封装结构的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。目前，小外形晶体管常用的封装结构有SOT-23型和SC-59型两种，其中：1、SOT-23型封装为欧式窄管体，该封装结构的塑封体长为2.9mm，宽为1.3mm，高为1.0mm。2、SC-59(又称SOT-23-3L或5L或6L)封装为日式宽管体，该封装结构的塑封体长为2.9mm，宽为1.6mm，高为1.0mm。对于小信号晶体管而言，由于二者在印刷电路板上的位置相同，使用起来没有任何差别；而对于功率晶体管而言，由于SOT-23-3L或5L或6L型的塑封体相对SOT-23型较宽，可以封装更大的芯片，所以在功耗方面SOT-23-3L或5L或6L型比较有优势。但是SOT-23-3L或5L或6L型因为在引线框架的设计时采用了一种密度宽松的结构，封装生产时效率较低，造成生产的成本较高，从而降低了产品的竞争性。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术所要解决的技术问题是提出了一种具有SOT-23型引线框架密度和SOT-23-3L或5L或6L型功耗要求的半导体集成晶体管封装结构。能够解决上述技术问题的半导体集成晶体管封装结构，其技术方案包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所不同的是所述塑封体的前、后长度为2.9mm，左、右宽度为1.65mm，上、下高度为0.9mm；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，或六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，各引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。按设计要求，所述塑封体长度的上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米。按设计要求，所述塑封体宽度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。按设计要求，所述塑封体高度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。按常规，所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比为6：3。按常规，所述上模型腔槽和下模型腔槽均为易于开模的梯形体。本技术的有益效果：1、与现有技术相比，本技术从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。2、本技术的封装结构中，设计开设有左侧一个居中引脚孔和右侧前、后两个引脚孔，或三个左、右对称的引脚孔，其好处为将SOT－23－3L和SOT－23－6L两个产品统一到相同的塑封模具，换用不同的引线框架就可实现。附图说明图1为本技术一种实施方式的主视图。图2为图1实施方式的俯视图，显示为有六个引脚。图3为图1实施方式的侧视图。图4为图1实施方式的俯视图，显示为有三个引脚。图号标识：1、塑封体；2、引脚。具体实施方式下面结合附图所示实施方式对本技术的技术方案作进一步说明。本技术半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽合模注塑所形成的塑封体1，所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比为6：3，所述塑封体1上开设有供半导体集成晶体管的引脚2引出的引脚孔，如图1、图2、图3所示。所述塑封体1的外形为一正方形或上、下相对的梯形体，当塑封体1的外形为正方形时，上模型腔槽和下模型腔槽的形状均为正方体，考虑到脱模的方便，所述上模型腔槽和下模型腔槽的开口处最好能够大于其型腔槽的内侧，即上模型腔槽和下模型腔槽均为一梯形体，此时所获得的塑封体的外部形状为上、下相对的梯形体，如图1、图2、图3所示。相对现有技术而言，本技术中的塑封体1的外形尺寸发生了改变，即塑封体1的长度(前、后向)为2.9毫米，宽度(左、右向)为1.65毫米，高度H为0.9毫米。由于在实际生产过程中较难保证精确的尺寸，因而塑封体1外形尺寸即塑封体1的长度、宽度和高度H均允许存在一定尺寸公差，在塑封体1的长度公差上，其上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米；在塑封体1的宽度公差上，其上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米；在塑封体1的高度公差上，其上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米，如图1、图2、图3所示。所述引脚孔的开设有两种：1、所述引脚孔开设有六个，六个引脚孔分别于塑封体1上左、右对称开设，每侧的三个引脚孔等距间隔，中间的引脚孔位置居中，各引脚孔的开设位置距离塑封体1底部的高度为塑封体1高度H的1/3，即各引脚孔的开设位置处于下模型腔槽的开口边缘处，如图1、图2、图3所示。2、所述引脚孔开设有三个，所述塑封体1的左侧居中开设一个，塑封体1的右侧前、后开设两个，如图1、图4所示。在具体设计过程中，本技术在原SOT-23型封装结构的塑封模具上作修改：首先，修改塑封模具上、下模型腔槽，使其每边拓宽0.175mm后让塑封体1宽度从1.3mm增加到1.65mm。其次，填高下模型腔槽0.1mm后让塑封体1高度从1mm减小为0.9mm。本技术封装结构中，所述塑封体1下部减少0.1mm有利于散热，最关键的是引脚2向下弯曲成形时可以每边节省0.175mm长度，补偿塑封体1宽度每边增加0.175mm损失的引脚2长度，最终使得包括引脚2在内的产品总宽度控制在2.4mm～2.8mm内。本技术的注塑成型过程为：1、将印制有半导体集成晶体管的引线框架放置在上模和下模之间，并让半导体集成晶体管与上模型腔槽和下模型腔槽相对，下模型腔槽的开口边缘处开设的引脚孔供半导体集成晶体管的引脚2引出。2、向上模和下模间注入融化的塑胶而将上模型腔槽和下模型腔槽填满。3、将上模和下模冷却，让塑胶凝固形成具有特定外形尺寸的塑封体1。为配合封装结构的改进，本技术对引线框架进行适应性修改：1、由于塑封体1从1.3mm×2.9mm毫米增加到1.65mm×2.9mm，因而引线框架中贴芯片的中间区域从0.9mm×1.3mm加大到1.1mm×1.70mm。2、引线框架左、右焊区采用左短右长的非对称结构，一是尽量增加贴芯片区域的面积来提高散热性，又能方便功率场效应管及功率器件的多线焊接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体(1)，所述塑封体(1)上开设有供半导体集成晶体管的引脚(2)引出的引脚孔，其特征在于：所述塑封体(1)的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体(1)上左、右开设，或六个引脚孔分别于塑封体(1)上左、右对称开设，各引脚孔的开设位置距离塑封体(1)底部的高度为塑封体(1)高度的1/3。/n

【技术特征摘要】
1.半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体(1)，所述塑封体(1)上开设有供半导体集成晶体管的引脚(2)引出的引脚孔，其特征在于：所述塑封体(1)的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体(1)上左、右开设，或六个引脚孔分别于塑封体(1)上左、右对称开设，各引脚孔的开设位置距离塑封体(1)底部的高度为塑封体(1)高度的1/3。


2.根据权利要求1所述的半导体集成晶体管封装结构，其特征在于：所述塑封体(1)长度的上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇昌，彭顺刚，邹锋，朱金华，王常毅，
申请(专利权)人：桂林斯壮微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：广西;45