晶片的永久粘合方法技术

技术编号:9467666 阅读:114 留言:0更新日期:2013-12-19 03:50
本发明专利技术涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法,其中第二衬底(2)具有至少一个反应层(7),所述方法具有下列步骤,尤其是下列过程:-在第一接触面(3)上的储库形成层(6)中形成储库(5),-用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5),-使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接,-减薄第二衬底(2)和-在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合,其通过第一原料物与第二衬底(2)的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法,其中第二衬底(2)具有至少一个反应层(7),所述方法具有下列步骤,尤其是下列过程:-在第一接触面(3)上的储库形成层(6)中形成储库(5),-用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5),-使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接,-减薄第二衬底(2)和-在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合,其通过第一原料物与第二衬底(2)的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。【专利说明】本专利技术涉及如权利要求1中所述的用于使第一衬底的第一接触面与第二衬底的第二接触面的粘合方法。衬底永久性或不可逆粘合的目的是在该衬底的两接触面之间产生尽可能强的特别是不可再拆开的粘合,即产生高的粘合力。为此,在现有技术中存在各种手段和制备方法。已知的制备方法和迄今遵循的手段常导致不可再现的或再现性差的,且特别是几乎不适用于改变的条件的结果。特别是现今所用的制备方法常利用高温,尤其是> 400°C,以确保可再现的结果。技术问题如高能耗和衬底上存在的结构的可能破坏均由至今本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:T普拉赫K欣格尔M温普林格C弗勒特根
申请(专利权)人:EV集团E·索尔纳有限责任公司
类型:
国别省市:

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