【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了一种利用中性粒子束制作半导体发光元件的方法及其装置。根据本专利技术，由于在形成在基板上形成的氮化物半导体单晶薄膜时，不像现有技术那样通过加热基板而用热能提供反应能量，而是用中性粒子束的动能提供一部分反应能量，因此可在基板温度较低的条件下进行。而且，掺杂所需的固体元素Si、Mg等元素时，也可以借助于固体元素产生源而与中性粒子束一同喷射于基板上，从而可以在低温下高效地进行掺杂。根据本专利技术，可通过基板温度的低温化来防止基板和薄膜的劣化以及掺杂元素的不利的扩散，从而可以比较简便地制作出具有优良发光特性的半导体发光元件。【专利说明】利用中性粒子束的发光元件制造方法及其装置
本专利技术涉及一种发光元件的制造方法及制造装置，尤其涉及一种利用中性粒子束而降低了薄膜蒸镀温度的氮化物半导体单晶的形成装置及方法。
技术介绍
通常,氮化物半导体单晶薄膜被广泛应用于LED (Light Emitting Diode)或激光二极管的制作，而为了使氮化物半导体单晶形成于基板上，需要将基板保持在高温。S卩，现有技术中形成薄膜需要1000°C以上的结晶生长高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞席在，金圣凤，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，
类型：
国别省市：
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