【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层研磨方法及其研磨装置
本专利技术涉及原子层研磨系统及研磨方法，更为详细地，涉及碳化硅的原子层研磨系统及研磨方法。
技术介绍
随着对像太空照相机一样拍摄高分辨率影像的需求，需要镜头精密平坦化技术。尤其需要以原子层单位进行研磨。但是，现有的研磨技术为通过物理及化学研磨手段进行的研磨。在现有的研磨技术，例如离子束抛光(IonBeamFiguring)装置的情况下，由于利用通过物理碰撞而引起的溅射现象，因此无法以原子单位进行研磨。尤其是作为太空光学镜头而受到关注的碳化硅之类的材质，由于其硬度极高且化学性质非常稳定，因此被公知为难以研磨的材质。用于研磨这种材质的技术有将金刚石粒子按照粒子大小应用于工序的技术以及催化剂表面参考蚀刻(CARE，CatalystSurfaceReferredEtching)法等，但需要昂贵的费用，并且不能以原子层单位进行精密研磨。当前不存在以原子层单位研磨镜头表面的技术，因而实际情况为无法满足高分辨率拍摄的需求。因此当前是进行满足这种技术需求的新技术研究的必要时期。
【技术保护点】
1.一种原子层研磨方法，其特征在于，包括：/n通过扫描试样的表面来测量上述试样表面的峰位置的步骤；/n将能够与作为上述试样的材料成分的第一原子键合的第一反应气体朝向上述所测量的峰位置喷射，来在上述峰的表面形成由上述第一反应气体与上述第一原子键合而成的第一反应气体层的步骤；以及/n向蒸镀有上述第一反应气体层的上述峰位置施加能量来从上述试样分离与上述第一反应气体键合的上述第一原子的步骤。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171101 KR 10-2017-01444331.一种原子层研磨方法，其特征在于，包括：
通过扫描试样的表面来测量上述试样表面的峰位置的步骤；
将能够与作为上述试样的材料成分的第一原子键合的第一反应气体朝向上述所测量的峰位置喷射，来在上述峰的表面形成由上述第一反应气体与上述第一原子键合而成的第一反应气体层的步骤；以及
向蒸镀有上述第一反应气体层的上述峰位置施加能量来从上述试样分离与上述第一反应气体键合的上述第一原子的步骤。
2.根据权利要求1所述的原子层研磨方法，其特征在于，
当上述试样为包含两种不同原子的材质时，上述第一反应气体作为与上述试样的第一原子键合的气体，其与上述第一原子的键合率高于与上述第一原子之外的其他原子的键合率，
在上述分离第一原子的步骤然后，上述原子层研磨方法包括：
将能够与作为上述试样的材料成分的第二原子键合且与上述第二原子的键合率高于与上述第二原子之外的其他原子的键合率的气体朝向上述所测量的峰位置喷射，来在上述峰的表面形成由上述第二反应气体与上述第二原子键合而成的第二反应气体层的步骤；以及
向蒸镀有上述第二反应气体层的上述峰位置施加能量来从上述试样分离与上述第二反应气体键合的上述第二原子的步骤。
3.根据权利要求2所述的原子层研磨方法，其特征在于，包括通过反复进行从上述第一反应气体层分离上述第二原子的分离步骤来增强平坦化程度的步骤。
4.根据权利要求2所述的原子层研磨方法，其特征在于，在上述分离第一原子的步骤与上述形成第二反应气体层的步骤之间，上述原子层研磨方法包括去除残留于上述试样的第一反应气体层的步骤。
5.根据权利要求3所述的原子层研磨方法，其特征在于，
在上述分离第一原子的步骤与上述形成第二反应气体层的步骤之间，上述原子层研磨方法包括去除残留于上述试样的第一反应气体层的步骤；以及
在上述分离第二原子的步骤与上述形成第一反应气体层的步骤之间，上述原子层研磨方法包括去除残留于上述试样的第二反应气体层的步骤。
6.根据权利要求4或5所述的原子层研磨方法，其特征在于，上述去除反应气体层的步骤包括照射能够与多种上述反应气体反应的气体的等离子体的步骤。
7.根据权利要求1或2所述的原子层研磨方法，其特征在于，上述第一反应气体及上述第二反应气体为能够分别与上述第一原子及第二原子键合来形成挥发性气体的气体。
8.根据权利要求1或2...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔镕燮，李康逸，石东篡，章守旭，金钟植，柳承烈，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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