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韩国基础科学支援研究院专利技术
韩国基础科学支援研究院共有32项专利
靶向α制造技术
本发明涉及靶向α
放射性铯去污剂以及利用其的水深定制型放射性铯的去污方法技术
本发明提供如下放射性铯去污剂:作为包含粘土矿物及发泡剂的组合物,可以吸附或去除水中的放射性铯,可以通过调节上述粘土矿物及发泡剂的含量来调节根据水深的发泡速度。本发明最终包括所要通过调节作为放射性铯去污剂的沸石等的沉降速度来使水平分散性能...
用于靶向血管生成的造影剂组合物及其制备方法技术
本发明涉及用于靶向血管生成的造影剂组合物及其制备方法,本发明的用于靶向血管生成的造影剂组合物对于与血管生成相关的α
利用等离子体的有害气体处理装置和方法制造方法及图纸
本发明实施例旨在提供一种利用等离子体的有害气体处理装置和方法,通过等离子体和氨的反应生成第一去氨物质,以第一次去氨通过使第一去氨物质和氨再次反应生成第二去氨物质,以第二次去氨,从而可以逐步改善去氨效率。
利用等离子体的除臭装置制造方法及图纸
本发明的一个实施例的利用等离子体的除臭装置包括:第一等离子体产生部,其安装在含恶臭气体通过的腔室的一部分上,用于产生等离子体;以及供电部,其用于向第一等离子体产生部施加电源,第一等离子体产生部包括:具有柔性的多个第一电极;具有柔性的多个...
用于皮肤处理的大气压空气等离子喷射装置制造方法及图纸
本发明公开用于皮肤处理的大气压空气等离子喷射装置。用于皮肤处理的大气压空气等离子喷射装置包括:中心电极、介电层、周边电极、气缸型外部绝缘外壳、第一流路、第一流入口、第一流出口以及电源单元,通过上述电源单元向两个电极施加电压,来使得向上述...
利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块以及点状蚀刻模块的蚀刻轮廓的控制方法制造方法及图纸
公开了一种利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块。利用所述环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块,包括:板状的电介质;圆形电极,与所述电介质的上面接触配置;环形电极,与所述电介质的下面接触配置,并提供用于容纳气体的气体容纳空间;以及供电...
中子成像系统用图像生成室以及利用其的根据中子能量大小可替换闪烁体的中子成像系统技术方案
本发明公开了一种中子成像系统用图像生成室。所述中子成像系统用图像生成室,其中,包括:遮蔽构件,具备:遮蔽空间;以及插座部,用于向所述遮蔽空间入射可见光;反射镜,收容于所述遮蔽空间,用于将入射至所述遮蔽空间的可见光的行进方向转换为朝向位于...
原子层研磨方法及其研磨装置制造方法及图纸
本发明涉及一种原子层研磨方法,上述原子层研磨方法包括:通过扫描试样的表面来测量上述试样表面的峰位置的步骤;将能够与作为上述试样的材料成分的第一原子键合的第一反应气体朝向上述所测量的峰位置喷射,来在上述峰的表面形成由上述第一反应气体与上述...
具有双重型等离子体排出部的等离子体装置制造方法及图纸
本发明公开具有双重型等离子体排出部的等离子体装置,包括:板形态的中心电极;板形态的电介质,以覆盖上述中心电极的两面的方式层叠于上述中心电极;板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极,上述第一外侧电极以与上述电介质平行的方式配置,上述第...
同轴电缆连接型水冷式表面波等离子体发生装置制造方法及图纸
本发明公开同轴电缆连接型水冷式表面波等离子体发生装置。所述同轴电缆连接型水冷式表面波等离子体发生装置的特征在于包括:具有预定的大小的腔体;与所述腔体连接成传输从电磁波振荡部发生的电磁波的芯线位于所述腔体的内部,向所述腔体的内部传输所述电...
线性电磁波等离子体源及使用其的等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明线性电磁波等离子体源及使用其的等离子体处理装置包括:长的圆筒形波导管;电介质层,以与上述圆筒形波导管的外部面相接触的方式包围上述圆筒形波导管;以及第一磁控管及第二磁控管,用于向上述圆筒形波导管的两端供给电磁波,上述圆筒形波导管包括...
焚烧及气化工序排放气体的等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明涉及废弃物或生物质的处理装置,用于对包含在废弃物或生物质的热化学转换工序中产生的排放气体中的难降解物质进行分解来进行处理,其特征在于,上述废弃物或生物质的处理装置包括气化部、用于转换为再生能源或用于再生能源的利用的多个后端工序部、...
水冷式表面波等离子体发生装置制造方法及图纸
本发明公开一种水冷式表面波等离子体发生装置。水冷式表面波等离子体发生装置的特征在于包括:传输电磁波的导波管、一端部与所述导波管电磁耦合使得在所述导波管内传输的电磁波能够流入的电介质管、具有中空的管形状,包覆所述电介质管的整个或部分长度使...
包括多孔电介质的等离子体发生源制造技术
本发明公开电介质阻挡等离子体(DBD:Dielectric Barrier Discharge)的两个电极之间的等离子体发生区域内含有浸渍液体的多孔电介质以抑制臭氧及氮氧化物的发生,促进羟自由基的生成的等离子体发生源。
乙烯处理装置及利用其的乙烯处理方法制造方法及图纸
本发明涉及一种乙烯处理装置,其特征在于,包括:等离子体放电单元,形成有流入口和排出口并在内部填充有吸附剂;及电极单元,在所述等离子体放电单元的内部产生等离子体;其中,所述吸附剂负载有催化剂。本发明涉及一种利用所述乙烯处理装置的乙烯处理方...
锂过渡金属氧化物的氟钝化方法技术
本发明涉及锂过渡金属氧化物的氟钝化处理方法,包括:(a)准备粉末或块形态的锂过渡金属氧化物的步骤;(b)利用含氟的原料气体生成等离子体的步骤;以及(c)利用所述等离子体处理所述锂过渡金属氧化物的步骤。
聚四氟乙烯表面亲水性改性方法技术
本发明涉及一种聚四氟乙烯表面亲水性改性方法,尤其涉及一种利用等离子体处理的聚四氟乙烯表面亲水性改性方法。具体来讲,涉及一种通过碳氢类气体与碳化合物的混合气体发生等离子体并暴露于聚四氟乙烯表面以改性聚四氟乙烯表面亲水性的方法,更具体来讲涉...
电磁波-高频混性等离子体炬制造技术
本发明的目的在于提供一种能够解决现有高频等离子体炬的问题,以克服高频等离子体快速淬火问题及相应的不稳定性问题的等离子体炬。根据用于达成上述目的的本发明一个实施例,本发明可以公开一种电磁波-高频混性等离子体炬。所述电磁波-高频混性等离子体...
等离子体辅助物理气相沉积源制造技术
本发明涉及等离子体辅助物理气相沉积源,尤其涉及一种向在高真空形成薄膜的热物理气相沉积源(Thermal Physical Vapor Deposition)结合等离子体的技术。
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