具有双重型等离子体排出部的等离子体装置制造方法及图纸

技术编号:23675222 阅读:77 留言:0更新日期:2020-04-04 20:05
本发明专利技术公开具有双重型等离子体排出部的等离子体装置,包括:板形态的中心电极;板形态的电介质,以覆盖上述中心电极的两面的方式层叠于上述中心电极;板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极,上述第一外侧电极以与上述电介质平行的方式配置,上述第一外侧电极的整个一面或一面的一部分以与上述电介质隔开的方式与上述电介质相向,上述第二外侧电极隔着上述电介质与上述第一外侧电极相对称,以与上述电介质平行的方式配置,上述第二外侧电极的整个一面或一面的一部分与上述电介质相向;供电装置,用于向上述中心电极输入高电压;以及至少一个气体注入部,用于向上述各个外侧电极与上述电介质之间的隔开空间注入等离子体源气体。

Plasma device with double discharge

【技术实现步骤摘要】
具有双重型等离子体排出部的等离子体装置
本专利技术涉及等离子体装置,更加详细地,涉及可生成及排出相互平行的2个线性等离子体的等离子体装置。
技术介绍
作为处理基板表面的方法,例如,从基板的表面去除有机物质等污染物,去除抗蚀剂(resist),提高有机膜的粘结、表面变形、膜的形成,还原金属氧化物或清洗液晶用玻璃基板等方法大致包括利用化学药品的方法以及利用等离子体的方法。其中,利用化学药品的方法存在化学药品对环境产生恶劣影响的缺点。作为利用等离子体的表面处理方法的一例,可举出利用低温、低压状态的等离子体的方法。利用低温、低压等离子体的表面处理方法中,通过在低温、低压的真空槽内发生等离子体来使等离子体与基板的表面相接触,从而处理基板表面。这种利用低温、低压状态的等离子体的表面处理方法尽管具有优异的清洗效果,但实际未被广泛利用,其原因在于,上述方法需要由真空装置来维持低压,因此,难以适用于在大气压状态下执行的连续工序。由此,近年来积极地进行着所要通过在大气压状态下发生等离子体来利用于表面处理的研究。作为一例,作为在大气压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双重型等离子体排出部的等离子体装置,其特征在于,包括:/n板形态的中心电极;/n第一电介质层及第二电介质层,层叠于上述中心电极的两面;/n板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极,上述第一外侧电极以与上述第一电介质层平行地隔开配置,与上述第一电介质层相向,以在一侧形成中心电极的长度方向的排出口,上述第二外侧电极隔着上述中心电极与上述第一外侧电极相对称,与上述第二电介质层相向,以与上述第二电介质层平行地隔开配置;/n气体注入部,用于向上述第一外侧电极及第二外侧电极与第一电介质层及第二电介质层之间的隔开空间注入等离子体源气体;以及/n供电装置,用于向上述中心电极与上述第一外侧电极及第...

【技术特征摘要】
1.一种具有双重型等离子体排出部的等离子体装置,其特征在于,包括:
板形态的中心电极;
第一电介质层及第二电介质层,层叠于上述中心电极的两面;
板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极,上述第一外侧电极以与上述第一电介质层平行地隔开配置,与上述第一电介质层相向,以在一侧形成中心电极的长度方向的排出口,上述第二外侧电极隔着上述中心电极与上述第一外侧电极相对称,与上述第二电介质层相向,以与上述第二电介质层平行地隔开配置;
气体注入部,用于向上述第一外侧电极及第二外侧电极与第一电介质层及第二电介质层之间的隔开空间注入等离子体源气体;以及
供电装置,用于向上述中心电极与上述第一外侧电极及第二外侧电极之间输入电压,以在上述隔开空间产生等离子体。


2.根据权利要求1所述的具有双重型等离子体排出部的等离子体装置,其特征在于,
在上述第一外侧电极与电介质之间的隔开空间形成通过生成第一等离子体来沿着上述第一外侧电极的纵向排出上述第一等离子体的第一等离子体排出通道,
在上述第二外侧电极与电介质之间的隔开空间形成通过生成第二等离子体来沿着上述第二外侧电极的纵向排出上述第二等离子体的第二等离子体排出通道。


3.根据权利要求2所述的具有双重型等离子体排出部的等离子体装置,其特征在于,上述气体注入部包括:
第一气体引导通道,以与上述第一外侧电极的横向平行的方式延伸,以与上述第一等离子体排出通道的顶部相邻的方式配置;
第一通道间连接孔,从上述第一气体引导通道朝向上述第一等离子体排出通道延伸来以能够使流体导流的方式与上述第一等离子体排出通道及...

【专利技术属性】
技术研发人员:石东篡卢泰协郑熔镐崔荣燮柳承烈
申请(专利权)人:韩国基础科学支援研究院
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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