水冷式表面波等离子体发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种水冷式表面波等离子体发生装置。水冷式表面波等离子体发生装置的特征在于包括：传输电磁波的导波管、一端部与所述导波管电磁耦合使得在所述导波管内传输的电磁波能够流入的电介质管、具有中空的管形状，包覆所述电介质管的整个或部分长度使得管的内面接触所述电介质管的外面，具有位于管的内面及外面之间使从管的外部注入的冷却流体沿着管的长度方向及圆周方向移动的第一冷却流路的冷却护套；与所述电介质管连接成能够疏通流体以向所述电介质管的内部注入放电气体的放电气体注入部。本发明专利技术的水冷式表面波等离子体发生装置解决了用于冷却电介质管的冷却流体泄漏的问题。

【技术实现步骤摘要】
水冷式表面波等离子体发生装置
本专利技术涉及表面波等离子体发生装置，特别是涉及一种解决了用于冷却电介质管的冷却流体泄漏的问题的间接冷却方式的水冷式表面波等离子体发生装置。
技术介绍
表面波等离子体能够利用通过向等离子体与电介质的分界面传播的表面波生成的等离子体形成稠密等离子体，具有电磁波发生装置(Applicator)或天线适用于腔体外部的结构，因此与现有RF等离子体相比具有非常简单有效且柔软的结构。并且，能够在数十毫托(mTorr)至大气压这一非常宽的压力范围内运转，密度范围可具有约10E8～10E15cm^-3。并且，由于电子温度高，因此分子的解离与自由基的生成方面比目前的DC/RF方式效率更高。因此表面波等离子体广泛用于半导体工程领域，例如，远程清洗、生成自由基、分解/减少温室气体(SF6、CF4、PFC等)、半导体钝化及覆膜去除工程等。作为表面波等离子体的典型例子，波导型表面波等离子体发生器(surfaguide)方式的等离子体发生源从原理特性来讲使用电介质放电管，如图1所述，放电管20向垂直于电磁波传输方向的方向贯通传输电磁波的导波管10。并且，放电管20由电磁波能够通过的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水冷式表面波等离子体发生装置，其特征在于，包括：导波管，其传输电磁波；电介质管，其一端部与所述导波管电磁耦合使得在所述导波管内传输的电磁波能够流入；冷却护套，其具有中空的管形状，包覆所述电介质管的整个或部分长度使得管的内面接触所述电介质管的外面，具有位于管的内面及外面之间使从管的外部注入的冷却流体沿着管的长度方向及圆周方向移动的第一冷却流路；以及放电气体注入部，其与所述电介质管连接成能够疏通流体以向所述电介质管的内部注入放电气体。

【技术特征摘要】
2016.08.02 KR 10-2016-00983031.一种水冷式表面波等离子体发生装置，其特征在于，包括：导波管，其传输电磁波；电介质管，其一端部与所述导波管电磁耦合使得在所述导波管内传输的电磁波能够流入；冷却护套，其具有中空的管形状，包覆所述电介质管的整个或部分长度使得管的内面接触所述电介质管的外面，具有位于管的内面及外面之间使从管的外部注入的冷却流体沿着管的长度方向及圆周方向移动的第一冷却流路；以及放电气体注入部，其与所述电介质管连接成能够疏通流体以向所述电介质管的内部注入放电气体。2.根据权利要求1所述的水冷式表面波等离子体发生装置，其特征在于：所述放电气体注入部在相邻于与所述导波管电磁耦合的所述电介质管的第一端部的位置连接于所述电介质管使得能够疏通流体。3.根据权利要求1所述的水冷式表面波等离子体发生装置，其特征在于：所述水冷式表面波等离子体装置还包括天线，所述天线从所述导波管的内侧面位置向所述电介质管的第一端部凸出而与所述电介质管的第一端部相对。4.根据权利要求3所述的水冷式表面波等离子体发生装置，其特征在于：所述电介质管的第一端部位于所述冷却护套的内部或贯通与所述天线相对的所述导波管的一面位于导波管的内部，位于所述导波管内的所述天线...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铉钟，秋愿壹，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR