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原子层研磨方法及其研磨装置制造方法及图纸
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文档序号:24020320
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本发明涉及一种原子层研磨方法,上述原子层研磨方法包括:通过扫描试样的表面来测量上述试样表面的峰位置的步骤;将能够与作为上述试样的材料成分的第一原子键合的第一反应气体朝向上述所测量的峰位置喷射,来在上述峰的表面形成由上述第一反应气体与上述第一...
该专利属于韩国基础科学支援研究院所有,仅供学习研究参考,未经过韩国基础科学支援研究院授权不得商用。
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