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本发明公开了一种利用中性粒子束制作半导体发光元件的方法及其装置。根据本发明，由于在形成在基板上形成的氮化物半导体单晶薄膜时，不像现有技术那样通过加热基板而用热能提供反应能量，而是用中性粒子束的动能提供一部分反应能量，因此可在基板温度较低的条...
该专利属于韩国基础科学支援研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国基础科学支援研究院授权不得商用。

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