【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：具有第一和第二表面的半导体本体；位于所述半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；第一导电类型的第一区和沿从所述半导体本体的所述第一表面到所述半导体本体的所述第二表面的方向延伸到所述半导体本体中的第二导电类型的第二区；位于所述源区和所述第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少所述第二区接触所述体区，所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区在所述半导体本体中交替排列；第一导电类型的半导体基础层，所述半导体基础层的至少一部分在所述半导体本体中位于所述第一和第二区下面；以及位于所述半导体基础层下面的第一导电类型的漏区，其特征在于，所述第一导电类型的半导体基础层的位于所述第一和第二区下面的所述部分的厚度至少大于所述第一导电类型的第一区的宽度，以及所述第一导电类型的半导体基础层的掺杂浓度沿从所述源区到所述漏区的方向增加。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：W·凯因德尔，A·维尔梅罗特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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