【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；向所述沟槽填充第一绝缘层，所述第一绝缘层内具有孔洞；采用干法刻蚀工艺蚀刻所述第一绝缘层直至所述孔洞顶部打开；向所述沟槽填充满第二绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李志国，贾敏，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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