温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；向所述沟槽填充第一绝缘层，所述第一绝缘层内具有孔洞；采用干法刻蚀工艺蚀刻所述第一绝缘层直至所述孔洞顶部打开；向所述沟槽填充满第二绝缘层。所述隔离结构的形成方法消除了绝缘材...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。