可配置存储器阵列制造技术

所揭示的实施例包含具有安置成列的多个位线(BL0、BL1、BL2、BL3)和多个源极线(1)的存储器阵列。多个字线(2)安置成行。多个存储元件(3)具有从所述存储器阵列电解耦的存储元件的第一子集(4)，和耦合到所述存储器阵列的存储元件的第二子集(5)。所述存储器阵列包含多个位单元，每一位单元包含耦合到至少两个晶体管(6)的来自存储元件的所述第二子集的一个存储元件。所述位单元耦合到所述多个位线和所述多个源极线。每一晶体管耦合到一个字线。所述存储器阵列可进一步包含用以选择高性能模式和高密度模式的逻辑(310、312)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正丕，哈里·M·拉奥，朱晓春，李霞，升·H·康，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：