磁性存储元件制造技术

本发明专利技术涉及可写入的磁性元件，其包括具有磁性写入层的层叠体，其特征在于，所述层叠体包括所述磁性写入层，即，至少一种磁性材料的中间层（13、53、70、23、63、80），所述磁性材料呈现出平行于或垂直于所述中间层的平面的磁化方向，中间层夹在非磁性材料的第一外层（12、52、71、22、62）和第二外层（14、54、72、24、64、82）之间，第一外层（12、52、71、22、62）包括第一非磁性材料，并且第二外层（14、54、72、24、64、82）包括与第一非磁性材料不同的第二非磁性材料，其中，至少第二非磁性材料为导电的，以及，一方面，所述磁性元件包括用于使写入电流仅流经所述第二外层和所述中间层以及仅当所述第一外层导电时才能够流经所述第一外层的装置，所述写入电流沿着平行于中间层的平面的电流流动方向流动，以及另一方面，所述磁性元件包括用于施加具有沿着平行于或者垂直于所述中间层（13、53、70、23、63、80）的平面和所述电流流动方向的磁场方向的分量的磁场的装置，以及特征在于，所述磁化方向与所述磁场方向相互垂直。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉勒斯·路易斯·伽丁，约安·米哈依·米隆，彼得罗·加姆巴德拉，阿兰·舒尔，
申请(专利权)人：国家科学研究中心，原子能与替代能源委员会，约瑟夫·傅立叶大学，卡塔拉纳米技术研究所ICN，加泰罗尼亚调研高等研究学院ICREA，
类型：
国别省市：