一种基于电阻的存储器具有双二极管存取装置。在特定实施例中，一种方法包含对位线(114)和感测线(112)施加偏压以经由第一二极管(116)或第二二极管(118)产生穿过基于电阻的存储元件(110)的电流。所述第一二极管的阴极耦合到所述位线且所述第二二极管的阳极耦合到所述感测线。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝武扬，徐钟元，李康浩，金泰贤，金正丕，升·H·康，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。