自旋扭矩转移存储器单元结构及方法技术

本文中描述自旋扭矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包含定位于铁磁性存储材料与和反铁磁性材料接触的钉扎铁磁性材料之间的隧穿势垒材料。所述隧穿势垒材料为多铁性材料且所述反铁磁性材料、所述铁磁性存储材料及所述钉扎铁磁性材料定位于第一电极与第二电极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及半导体存储器装置、方法及系统，且更明确地说涉及自旋扭矩转移(STT)存储器单元结构及方法。
技术介绍
通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)及电阻式随机存取存储器(RRAM))及磁性随机存取存储器(MRAM)(例如自旋扭矩转移随机存取存储器(STT RAM))等等。MRAM装置可采用可由于磁矩的不同相对定向(例如，平行及反平行)而被视为多状态电阻器的磁性隧穿结(MTJ)，所述磁性隧穿结可改变穿过所述装置的电流的量值。在写入过程中，可使用由穿过传导线(例如，字线及位线)的电流所致的磁场来切换所述MTJ的“自由”材料的磁矩方向，此可将所述装置置于高或低电阻状态中。然后可使用读取过程来确定单元的状态。随着MRAM单元的大小减少，邻近单元之间的距离也减少，此可导致由用于切换磁矩方向的电流携载线所致的单元干扰增加。作为一实例，与MRA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·J·克拉梅尔，古尔特杰·S·桑胡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：