具有局部电流吸收器的存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及具有局部电流吸收器的存储器装置。
技术介绍
技术的进步已经产生了更小且更强大的计算装置。举例来说，当前存在多种便携式个人计算装置，包含无线计算装置，例如体积小、重量轻且易于由用户携带的便携式无线电话、个人数字助理(PDA)和寻呼装置。更具体来说，例如蜂窝式电话和因特网协议(IP)电话等便携式无线电话可经由无线网络传送话音和数据包。此外，许多此类无线电话包含并入其中的其它类型的装置。举例来说，无线电话还可包含数字照像机、数字摄像机、数字记录器和音频文件播放器。而且，此些无线电话可处理可执行指令，包含可用以接入因特网的软件应用程序，例如网页浏览器应用程序。因而，这些无线电话可包含强大的计算能力，且可使用存储器装置。·例如磁阻随机存取存储器(MRAM)等存储器装置可具有寄生电阻，即，设计材料中固有的电阻。在执行写入操作时，寄生电阻可能会产生更大的电流和功率要求，这通常是不合意的。
技术实现思路
本专利技术揭示一种自旋力矩转移MRAM (STT-MRAM)，其包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路提供到局部接地的位线放电路径。在特定实施方案中，电流吸收器电路可具有单个晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正丕，哈里·M·拉奥，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：