用于磁性位单元元件的不对称写入方案制造技术

本发明专利技术界定用于磁性位单元元件的不对称切换。用于存储器和其它装置的磁性位单元包含耦合到MTJ结构的晶体管。位线在所述位单元的一个端子处耦合到所述MTJ结构。在所述位单元的另一端子处，源极线耦合到所述晶体管的源极/漏极端子。所述位线由提供第一电压的位线驱动器驱动。所述源极线由提供第二电压的源极线驱动器驱动。所述第二电压大于所述第一电压。所述位单元和MTJ结构的切换特性通过将所述较高的第二电压施加到所述源极线和/或降低所述磁性位单元元件中的总寄生电阻这两种情况中的一者或组合而得以改进且变得更可靠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及磁性存储器，且明确地说，涉及磁性位单元元件中的不对称写入方案。
技术介绍
磁阻随机存取存储器(MRAM)技术的进步和发展已增加了为各种嵌入式和独立非易失性存储器应用选择MRAM的可行性。代替于将数据存储为电荷，MRAM将数据存储为磁矩。MRAM感测利用了发生在磁性隧道结(MTJ)中的磁阻效应。图IA为说明磁性隧道结(MTJ) 10的框图。MTJ 10包含磁性层101、绝缘体层103以及磁性层102、上部触点104以及耦合到衬底100的下部触点105。磁性层101到102可由多种过渡金属铁磁体和其它磁 性材料构造，所述材料包含钴-铁等，或还可由各种合成反铁磁(SAF)和反铁磁(AFM)层的组合层构造。绝缘体层103也可由多种绝缘材料(例如氧化镁等)构造。施加到MTJ 10的电流或电压电平将控制磁性层101到102的相对磁定向。在一个例子中，施加特定的电流或电压电平将致使磁性层101中的磁定向与磁性层102的磁定向反平行。类似地，另一电流或电压电平将致使磁性层101到102的磁定向相同或平行。当磁性层101到102的磁定向平行时，与当磁定向反平行时相比，电子将较可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓春，哈里·M·拉奥，金正丕，升·H·康，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：