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本发明界定用于磁性位单元元件的不对称切换。用于存储器和其它装置的磁性位单元包含耦合到MTJ结构的晶体管。位线在所述位单元的一个端子处耦合到所述MTJ结构。在所述位单元的另一端子处，源极线耦合到所述晶体管的源极/漏极端子。所述位线由提供第一电...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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