验证一次可编程存储器的写使能的电路制造技术

提供了一种包括一次可编程（OTP）存储器（16）的存储器系统（10）。所述存储器系统（10）还包括写使能验证电路（14），其包括和在节点（34）耦接的非对称反相器级（30）对称反相器级（32）。所述写使能验证电路（14）被配置来接收写使能信号。当所述写使能信号从第一电压电平变为第二电压电平时，所述节点（34）处的电压以第一速率变化，并且其中当所述写使能信号从所述第二电压电平变为所述第一电压电平时，所述节点（34）处的电压以高于所述第一速率的第二速率变化。所述写使能验证电路（14）还被配置来产生已验证的写使能信号以用于使能所述OTP存储器（16）的编程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总的来说涉及半导体，更具体地说，涉及使用一次可编程存储器的半导体电路。
技术介绍
半导体技术中有一类存储装置被称为一次可编程(OTP)存储器。有各种已知的包括电熔丝(electrical fuse)或eFuse的OTP存储器元件的实例。电熔丝通常通过迫使大电流通过他们而被编程。高电流g在改变电熔丝的结构，其导致高电阻状态。对于传统的电熔丝编程，要被编程的电熔丝结构通常是通过控制器电路产生的解码地址而选择的。在利用传统的电熔丝的情况下，存在电熔丝可能无意地被伪信号(spurioussignal)编程的风险。这种伪信号可能源于各种来源，例如在电路上电期间，测试期间以及源于辐射诱发的扰乱。还存在这样的风险在电路功率周期内，当由于电源顺序问题，电熔 丝的矩阵的控制电路处于ー种未定义状态吋，电熔丝被错误地编程。因此，如果控制器发出短的、错误的信号，则电熔丝阵列可能被暂时驱动进入写状态。在这种状态下，将会发生一个或多个电熔丝的无意编程。此外，产品的用户被指示要避免能够无意地编程电熔丝的特定系统操作条件。然而，多种客户系统使用尽管会产生电熔丝无意编程的操作条件。专利技术内容根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·B·赫夫勒，M·S·穆萨，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：
国别省市：