用于跟踪半导体存储器读取电流的可编程跟踪电路制造技术

一种实例存储器装置包含存储器阵列、感测放大器和跟踪电路。所述存储器阵列由多个存储器单元形成。所述感测放大器用于存取所述存储器阵列。所述跟踪电路用于跟踪所述存储器阵列的存储器读取电流。所述跟踪电路包括一列或一列以上跟踪单元。每一列耦合到对应的位线以在所述位线上提供用于触发所述感测放大器的存储器读取操作的驱动电流。所述列中的至少一者包括彼此串联连接的两个跟踪单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术针对半导体存储器，且更特定来说针对用于跟踪半导体存储器读取电流的可编程跟踪电路。
技术介绍
半导体存储器，尤其是例如利用小装置几何形状的静态随机存取存储器(SRAM)等高密度半导体存储器，一般并入有感测放大器以提供用于存储器读取的输出驱动能力。每ー感测放大器检测SRAM阵列中的一对对应互补位线(BL和BL’)上的差分电压。从存储器阵列输出正确感测到的位数据对于数据完整性、存取速度、功率消耗等很重要，且取决于若干过程相关变量和环境变量。图I说明实例存储器装置100的一部分。存储器装置100包含ー个或ー个以上存储器阵列102 (仅展不其中一者)。姆一存储器阵列102包含布置成多行和多列的多个 存储器单元104，每一行对应于字线WL (WLO、WLU ...),且每一列对应于ー对互补位线BL和BL’ ((BLO1BL' 0), (BL1，BL，I)、(BL2，BL，2)等)。字线解码器106接收字线地址信号(“WLADDR”)且提供字线信号以选择存储器阵列102的字线WL的一者。位线解码器108接收位线地址信号(“BL ADDR”)且提供位线信号Y(Y0、YU Y2等)以经由开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠泽，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：