一种芯片上电电流控制电路制造技术

本实用新型专利技术的芯片上电电流控制电路包括可变电阻单元和电压控制单元。电压控制单元分别与外部电源、可变电阻单元相连；可变电阻单元分别与可变电源和待上电芯片相连。电压控制单元，用于向可变电阻单元提供电压控制信号。可变电阻单元，根据电压控制信号向待上电芯片提供可变电流。采用本实用新型专利技术技术方案，就可在芯片供电系统上电时，通过可变电阻单元的调节改变芯片的上电电流；同时，在芯片供电系统上电完成后，保证可变电阻单元的压降和功耗也达到最低的合理值。这样，既可显著控制芯片的上电电流，还可有效避免电源电压功耗，不会影响电源效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种芯片上电电流控制电路
本技术涉及一种芯片上电电流控制电路。技术背景根据IS0/IEC 7816系列标准中的有关规定，移动终端对SIM卡的供电电流具有一定的限制。当SIM卡系统上电瞬间，芯片出现工作电流过冲(即瞬间工作电流过大)时，将导致手机不能正常工作或反复重启等现象。根据IS0/IEC 7816系列标准中的有关规定，SIM卡工作电流尖锋值的最大电荷量应小于IOnA-S,电流最大变化量应小于50mA，持续时间不超过400nS，SIM卡系统中的芯片工作电流必须满足该标准的要求。由于芯片内部电路表现出电容性负载特性，因此对于芯片电源接口来说，芯片内部可等效为一个负载电容(；_。当SIM卡系统处于电源上电过程， Cum上的电压值将瞬间变大，芯片工作电流将产生过冲，从而有可能超过标准的要求。如附图说明图1所示，现有技术中通过在电源系统输出端口 Vsupply和芯片电源输入端口 VDD之间接入一个恒定电阻R，来解决上电过程中芯片负载电流的尖锋过冲超过限制的问题。虽然这种技术方案能够缓解电流尖锋过冲，但是却会降低芯片电源的实际输入电压，并给系统带来一定的功耗损失。在电源快速上电后(可看作台阶电压)，电容Cum的上极板的电压VDD为权利要求1.一种芯片上电电流控制电路，其特征在于， 所述控制电路包括可变电阻单元和电压控制单元；所述电压控制单元分别与外部电源、所述可变电阻单元相连；所述可变电阻单元分别与所述外部电源和待上电芯片相连；所述电压控制单元，用于向所述可变电阻单元提供电压控制信号； 所述可变电阻单元，根据所述电压控制信号向所述待上电芯片提供可变电流。2.按照权利要求1所述的芯片上电电流控制电路，其特征在于， 所述电压控制单元包括第一 PMOS管和电容；所述第一 PMOS管的栅极用于接收外部电源的上电复位信号；所述第一 PMOS管的漏极与所述电容的一端共同接地；所述第一 PMOS管的源极与衬底相连，并与所述电容的另一端共同连接到所述外部电源，该端还与所述可变电阻单元相连，向其输出所述电压控制信号。3.按照权利要求1或2所述的芯片上电电流控制电路，其特征在于， 所述可变电阻单元包括第二 PMOS管；所述第二 PMOS管的栅极与所述电压控制单元相连；所述第二 PMOS管的漏极与所述芯片相连，向芯片提供可变电流；所述第二 PMOS管的源极与衬底相连，并共同连接到所述外部电源。专利摘要本技术的芯片上电电流控制电路包括可变电阻单元和电压控制单元。电压控制单元分别与外部电源、可变电阻单元相连；可变电阻单元分别与可变电源和待上电芯片相连。电压控制单元，用于向可变电阻单元提供电压控制信号。可变电阻单元，根据电压控制信号向待上电芯片提供可变电流。采用本技术技术方案，就可在芯片供电系统上电时，通过可变电阻单元的调节改变芯片的上电电流；同时，在芯片供电系统上电完成后，保证可变电阻单元的压降和功耗也达到最低的合理值。这样，既可显著控制芯片的上电电流，还可有效避免电源电压功耗，不会影响电源效率。文档编号G05F1/56GK202306374SQ20112040828公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月24日 优先权日2011年10月24日专利技术者程珍娟 申请人:国民技术股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程珍娟，
申请(专利权)人：国民技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：