本发明专利技术公开了一种低压电流控制电路，斜坡补偿电路，PMOS管Q1～Q3、NMOS管Q4～Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源；Q1的漏极接Q4的栅极和恒流源的一端，源极接Q4的漏极、Q2和Q3的源极、电压源VCC，栅极接Q2和Q3的栅极、Q2的漏极和Q5的漏极；R1和R2串联后一端接地，另一端接Q5的源极；Q4的源极接R1和R2的公共端；Q6的漏极接Q3的漏极、Q6的栅极和Q7的栅极、通过K接Q8的栅极，源极接地；恒流源的另一端接地；Q8的源极接地；Q7的另一端接地；斜坡补偿电路的第一和第二斜坡补偿电流分别接Q5的源极和Q1的漏极。有益效果：电路结构简单，电流输出精度高、范围广、电流稳定。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低压电流控制电路。
技术介绍
在一些控制领域，对电路的电流要求波动小，稳定性好，可控范围大。现有技术的低压电流控制电路一般是存在结构复杂，电路太大，适用范围窄，电流稳定性差，输出电流的波动性大，满足不了一些对电流高要求的需求，因此，改变低压电流控制电路进行优化设计和改进，满足实际需求，成为摆在领域技术人员面前必须解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于:针对上述存在的问题，提供一种低压电流控制电路，包括斜坡补偿电路，还包括PM0S管Q1?Q3、NM0S管Q4?Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源；PM0S管Q1的漏极接NM0S管Q4的栅极和恒流源的一端，源极接NM0S管Q4的漏极、PM0S管Q2和Q3的源极、电压源VCC，栅极接PM0S管Q2和Q3的栅极、PM0S管Q2的漏极和NM0S管Q5的漏极；电阻R1和R2串联后一端接地，另一端接NM0S管Q5的源极；NM0S管Q4的源极接电阻R1和R2的公共端；NM0S管Q6的漏极接PM0S管Q3的漏极、NM0S管Q6的栅极和NM0S管Q7的栅极、开关K的一端和NM0S管Q8的栅极，源极接地；恒流源的另一端接地；NM0S管Q8的源极接地；NM0S管Q7的另一端接地；斜坡补偿电路的第一斜坡补偿电流II接NM0S管Q5的源极，第二斜坡补偿电流13接PM0S管Q1的漏极。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是:有益效果:低压电路结构简单，电流输出精度高，电流输出范围广，输出电流稳定。【附图说明】图1是本专利技术一种低压电流控制电路的原理图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术作详细的说明。为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1所示，是本专利技术一种低压电流控制电路的原理图。一种低压电流控制电路，包括斜坡补偿电路，还包括PM0S管Q1?Q3、NM0S管Q4?Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源；PM0S管Q1的漏极接NM0S管Q4的栅极和恒流源的一端，源极接NM0S管Q4的漏极、PM0S管Q2和Q3的源极、电压源VCC，栅极接PM0S管Q2和Q3的栅极、PM0S管Q2的漏极和NM0S管Q5的漏极；电阻R1和R2串联后一端接地，另一端接NM0S管Q5的源极；NM0S管Q4的源极接电阻R1和R2的公共端；NM0S管Q6的漏极接PM0S管Q3的漏极、NM0S管Q6的栅极和NMOS管Q7的栅极、开关K的一端和NM0S管Q8的栅极，源极接地；恒流源的另一端接地；NM0S管Q8的源极接地；NM0S管Q7的另一端接地；斜坡补偿电路的第一斜坡补偿电流II接NM0S管Q5的源极，第二斜坡补偿电流13接PM0S管Q1的漏极。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种低压电流控制电路，包括斜坡补偿电路，其特征在于，还包括PMOS管Ql?Q3、NMOS管Q4?Q8、开关K、电阻Rl和R2以及恒流源；PM0S管Ql的漏极接NMOS管Q4的栅极和恒流源的一端，源极接NMOS管Q4的漏极、PMOS管Q2和Q3的源极、电压源VCC，栅极接PMOS管Q2和Q3的栅极、PMOS管Q2的漏极和NMOS管Q5的漏极；电阻Rl和R2串联后一端接地，另一端接NMOS管Q5的源极；NM0S管Q4的源极接电阻Rl和R2的公共端；NM0S管Q6的漏极接PMOS管Q3的漏极、NMOS管Q6的栅极和NMOS管Q7的栅极、开关K的一端和NMOS管Q8的栅极，源极接地；恒流源的另一端接地；NM0S管Q8的源极接地；NM0S管Q7的另一端接地；斜坡补偿电路的第一斜坡补偿电流Il接NMOS管Q5的源极，第二斜坡补偿电流13接PMOS管Ql的漏极。【专利摘要】本专利技术公开了一种低压电流控制电路，斜坡补偿电路，PMOS管Q1～Q3、NMOS管Q4～Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源；Q1的漏极接Q4的栅极和恒流源的一端，源极接Q4的漏极、Q2和Q3的源极、电压源VCC，栅极接Q2和Q3的栅极、Q2的漏极和Q5的漏极；R1和R2串联后一端接地，另一端接Q5的源极；Q4的源极接R1和R2的公共端；Q6的漏极接Q3的漏极、Q6的栅极和Q7的栅极、通过K接Q8的栅极，源极接地；恒流源的另一端接地；Q8的源极接地；Q7的另一端接地；斜坡补偿电路的第一和第二斜坡补偿电流分别接Q5的源极和Q1的漏极。有益效果：电路结构简单，电流输出精度高、范围广、电流稳定。【IPC分类】G05F1/56【公开号】CN105278600【申请号】CN201410256980【专利技术人】韦成辉, 李明 【申请人】郑州市晋源机电设备工程有限公司【公开日】2016年1月27日【申请日】2014年6月11日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低压电流控制电路，包括斜坡补偿电路，其特征在于，还包括PMOS管Q1～Q3、NMOS管Q4～Q8、开关K、电阻R1和R2以及恒流源；PMOS管Q1的漏极接NMOS管Q4的栅极和恒流源的一端，源极接NMOS管Q4的漏极、PMOS管Q2和Q3的源极、电压源VCC，栅极接PMOS管Q2和Q3的栅极、PMOS管Q2的漏极和NMOS管Q5的漏极；电阻R1和R2串联后一端接地，另一端接NMOS管Q5的源极；NMOS管Q4的源极接电阻R1和R2的公共端；NMOS管Q6的漏极接PMOS管Q3的漏极、NMOS管Q6的栅极和NMOS管Q7的栅极、开关K的一端和NMOS管Q8的栅极，源极接地；恒流源的另一端接地；NMOS管Q8的源极接地；NMOS管Q7的另一端接地；斜坡补偿电路的第一斜坡补偿电流I1接NMOS管Q5的源极，第二斜坡补偿电流I3接PMOS管Q1的漏极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韦成辉，李明，
申请(专利权)人：郑州市晋源机电设备工程有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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