在相变存储器中的写入方案制造技术

在相变存储器中，接收与多个存储器单元对应的输入数据，并且从所述多个存储器单元读取先前的数据。将所述输入数据与所述先前的数据作比较。在对于所述多个存储器单元中的一个或多个而言所述输入数据与所述先前的数据不同并且写入计数小于最大值的情况下，使用输入数据来编程该多个存储器单元中的一个或多个，并且更新或递增写入计数。重复这样的数据比较和更新写入计数的操作。如果写入计数达到最大值在，则确定写入失败。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及存储装置。更具体地，本专利技术涉及具有诸如写入或编程的数据的迭代验证的特征的半导体存储装置。
技术介绍
半导体存储装置的示例是作为相变存储器(PCM)的非易失性存储装置。PCM使用诸如硫族化物之类的相变材料来存储数据。通常的硫族化物化合物是Ge2-Sb2-Te5 (GST)0通过控制加热和冷却过程，相变材料能够来在晶相和非晶相之间稳定地转换。与显示较低电阻的晶相相比，非晶相显示较高的电阻。可以通过下述方式来建立也被称为“复位”状态或逻辑“0”状态的非晶态将GST化合物加热得大于熔化温度(例如，610°C )然后迅速地冷却该化合物。可以通过下述方式来建立被称为“置位”状态或逻辑“I”状态的晶态^fGST化合物加热得大于结晶温度(例如，450°C)并维持足以将相变材料转换为晶态的较长时间段。结晶温度小于熔化温度(610°C)。加热时间段之后是随后的冷却时间段。图I示出了典型的相变存储器単元。參照图1，相变存储器(PCM)単元110包括存储元件112和开关元件114。开关元件114用于选择性地访问PCM単元110的存储元件112。存储元件112的典型实例是由相变材料(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇祺，
申请(专利权)人：莫塞德技术公司，
类型：
国别省市：