【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于场复位自旋力矩MRAM的结构和方法
这里描述的示例性实施例一般涉及磁致电阻存储器，特别涉及对具有场复位 (field-reset)能力的自旋力矩磁致电阻随机存取存储器(MRAM)进行读取和编程的结构 和方法。
技术介绍
磁电子器件、自旋电子(spin electronic)器件以及自旋电子学(spintronic)器 件是同义词，表示利用主要由电子自旋引起的效应的器件。在许多信息设备中使用磁电子 学来提供非易失的、可靠的、防辐射的高密度数据存储和取回。所述许多磁电子信息设备包 括，但不限于，磁致电阻随机存取存储器(MRAM)、磁传感器以及用于盘驱动器的读/写头。典型地，MRAM包括磁致电阻存储元件阵列。每一个磁致电阻存储元件典型地具有 下述结构，即，该结构包括通过各种非磁性层分开的多个磁性层，例如磁隧道结(MTJ)，并且 展现出取决于该器件的磁性状态的电阻。信息存储为磁性层中的磁化矢量的方向。一个磁 性层中的磁化矢量被磁性固定或钉扎，而另一个磁性层的磁化方向可以自由地在相同方向 或相反方向(分别称为“平行”状态和“反平行”状态)之间切换(switching)。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.28 US 12/789,8381.一种操作自旋力矩磁致电阻存储器的方法，所述自旋力矩磁致电阻存储器包括耦接到多个磁致电阻存储元件中的每一个磁致电阻存储元件的位线、耦接到所述位线的电路、以及位于所述多个磁致电阻存储元件附近的金属复位线，该方法包括 通过经所述金属复位线施加复位电流以向所述多个磁致电阻存储元件中的每一个磁致电阻存储元件施加磁场，来将所述多个磁致电阻存储元件设置为第一状态；以及 通过从所述电路经所述多个磁致电阻存储元件中选定的磁致电阻存储元件向所述位线施加自旋力矩转移电流，将所选磁致电阻存储元件编程为第二状态。2.根据权利要求1的方法，其中所述电路包括双极晶体管，并且施加自旋力矩转移电流的步骤包括经所述双极晶体管向所述位线施加所述自旋力矩转移电流。3.根据权利要求1的方法，其中所述电路包括字线和耦接到所述字线的二极管，并且施加自旋力矩转移电流的步骤包括经所述二极管向所述字线施加所述自旋力矩转移电流。4.根据权利要求1的方法，其中每一个所述磁致电阻存储元件都包括磁隧道结器件，所述磁隧道结器件具有被隧道势垒分隔开的固定磁性区和自由磁性区。5.根据权利要求1的方法，还包括在经所述金属复位线施加所述复位电流时经所述位线施加加热电流。6.根据权利要求1的方法，其中所述磁致电阻存储元件的易磁化轴与所述磁场成30度至60度之间的夹角。7.根据权利要求1的方法，还包括 在复位步骤之前，感测所述多个磁致电阻存储元件中的每一个磁致电阻存储元件的电阻；以及 在设置步骤之后，感测所述多个磁致电阻存储元件中的每一个磁致电阻存储元件的电阻，其中编程步骤仅对在复位步骤之后对应于磁性状态的改变而电阻发生改变的磁致电阻存储元件进行编程。8.根据权利要求7的方法，其中所述电路包括双极晶体管，并且施加自旋力矩转移电流的步骤包括经所述双极晶体管向所述位线施加所述自旋力矩转移电流。9.根据权利要求7的方法，其中所述电路包括字线和耦接到所述字线的二极管，并且施加自旋力矩转移电流的步骤包括经所述二极管向所述字线施加所述自旋力矩转移电流。10.根据权利要求7的方法，还包括 在编程步骤之前，识别并存储根据由设置步骤导致的电阻改变确定的、代表每一个磁致电阻存储元件的初始状态的数据；以及 使所存储的数据能够通过附加的接口电路而被读出。11.根据权利要求7的方法，还包括 在编程步骤之前，识别并存储根据设置步骤之后的电阻改变确定的、代表每一个磁致电阻存储元件的初始状态的数据；以及 改变一个或多个所存储的数据， 其中编程步骤响应于所存储的数据将所述多个磁致电阻存储元件中所选择的磁致电阻存储元件编程为第二状态。12.根据权利要求11的自旋力矩磁致电阻存储器，其中所述电路包括被配置为施加所述自旋力矩转移电流的双极晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·安德烈，S·蒂兰尼，J·斯劳特，N·里佐，
申请(专利权)人：艾沃思宾技术公司，
类型：
国别省市：
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