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一种基于电阻的存储器具有双二极管存取装置。在特定实施例中，一种方法包含对位线(114)和感测线(112)施加偏压以经由第一二极管(116)或第二二极管(118)产生穿过基于电阻的存储元件(110)的电流。所述第一二极管的阴极耦合到所述位线且...
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