用于共享感测MRAM的系统和方法技术方案

将MRAM阵列的电阻存储器单元指定为参考单元且编程到二进制0和二进制1状态，同时存取来自一个MRAM阵列的处于二进制0及处于二进制1的参考单元以获得参考电压来读取另一MRAM阵列的电阻存储器单元，同时存取来自另一MRAM阵列的处于二进制0及处于二进制1的参考单元以获得参考电压来读取所述一个MRAM阵列的电阻存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于共享感测MRAM的系统和方法根据35U.S.C.§119主张优先权本专利申请案主张2010年9月8日申请的标题为“使用正常读取路径的MRAM读取参考产生方案(MRAMReadReferenceGenerationSchemeUsingNormalReadPath)”的第61/380,832号临时申请案的优先权，且所述临时申请案转让给本案受让人并在此明确以引用的方式并入本文中。
本申请案涉及非易失性电阻性存储器，且更特定来说，涉及用于存取非易失性电阻存储器的参考电压的产生和分布。
技术介绍
例如便携式无线电话和个人数字助理(PDA)等个人计算装置正需要不断增长的数据存储容量来执行范围不断扩大的应用。举例来说，无线电话可包含数字视频相机、视频和音频文件播放器、便携式游戏播放器，和因特网接入/网络浏览器。在需要处置范围扩大的应用的同时，电池使用有时间被高度重视，且因此优选将数据存储的电力消耗保持在最小范围。将数据存储为可切换电阻的电阻存储器显示出满足例如个人计算装置等应用中的预期存储需要的前景。一种类型的电阻存储器——自旋转移力矩(STT)磁性隧穿结(MTJ)或STT-MTJ显示出特别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 US 61/380,832;2011.07.07 US 13/177,9921.一种磁性随机存取存储器MRAM，其包括：电阻性存储器，其具有拥有多个I/O的第一组和拥有另一多个I/O的第二组，所述I/O中的每一者具有电阻性存储器单元的阵列；参考节点；读取模式切换电路，其经配置以在第一读取模式及第二读取模式之间选择性地切换，其中，所述第一读取模式将所述第一组的第一I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到第一读取节点、将所述第一组的多个I/O中的第二I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到第二读取节点、将所述第二组的电阻性存储器单元中的第一两者或两者以上耦合到所述参考节点；其中，所述第二读取模式将所述第二组的多个I/O中的第一I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到所述第一读取节点、将所述第二组的多个I/O中的第二I/O的电阻性存储器单元中的可选的一个电阻性存储器单元耦合到所述第二读取节点、将所述第一组的电阻性存储器单元中的第二两者或两者以上耦合到所述参考节点，其中，所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的一者处于所述第二组的多个I/O中的第一I/O中，且所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的另一者处于所述第二组的多个I/O中的第二I/O中，及其中，所述电阻性存储器单元中的所述第二两者或两者以上中的一者处于所述第一组的多个I/O中的第一I/O中，且所述电阻性存储器单元中的所述第二两者或两者以上中的另一者处于所述第一组的多个I/O中的第二I/O中。2.根据权利要求1所述的MRAM，其进一步包括参考电流源，所述参考电流源耦合到所述参考节点，其中所述参考电流源经配置以产生第一参考电流，所述第一参考电流穿过所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上，以在所述参考节点处产生参考电压。3.根据权利要求2所述的MRAM，其中所述读取模式切换电路经配置以在所述第一读取模式中形成从所述参考节点到接地参考的多个第一参考电流路径，所述第一参考电流路径中的每一者包含所述第一两个或两个以上电阻性存储器单元中的对应一者，且在所述第二读取模式中形成从所述参考节点到所述接地参考的多个第二参考电流路径，所述第二参考电流路径中的每一者包含所述第二两个或两个以上电阻性存储器单元中的对应一者。4.根据权利要求3所述的MRAM，其进一步包括：第一读出放大器，所述第一读出放大器具有耦合到所述参考节点的参考输入且具有耦合到所述第一读取节点的读取输入，第二读出放大器，所述第二读出放大器具有耦合到所述参考节点的参考输入且具有耦合到所述第二读取节点的读取输入。5.根据权利要求4所述的MRAM，其中所述读取模式切换电路经配置以在所述第一读取模式中形成从读出放大器的所述读取输入穿过所述第一组的多个I/O中的所述第一I/O中的可选的一个电阻性存储器单元的第一读取电流路径，其中所述第一读取电流路径和所述第一参考电流路径具有大体上相等的电容。6.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述第二组的多个I/O中的所述第一I/O中的所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的所述一者是被编程到表示二进制0的状态的指定的二进制0参考单元，且所述第二组的多个I/O中的所述第二I/O中的所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的所述一者是被编程到表示二进制1的状态的指定的二进制1参考单元。7.根据权利要求2所述的MRAM，其中所述参考电流源经配置以产生所述第一参考电流，从而在流动到所述第二组的多个I/O中的所述第一I/O中的指定的二进制0参考单元同时流动到所述第二组的多个I/O中的所述第二I/O中的指定的二进制1参考单元时，在所述参考节点处产生大致处于表示二机制0的电压与表示二进制1的电压之间的一半的电压。8.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述第一组的多个I/O中的所述第一I/O中的一行所述存储器单元被编程为指定的参考单元，且所述第一组的多个I/O中的所述第二I/O中的一行所述存储器参考单元被编程为指定的参考单元，其中所述电阻性存储器单元中的所述第二两者或两者以上中的所述一者可从所述第一组的多个I/O中的所述第一I/O中的一行指定的参考单元中进行选择，且所述电阻性存储器单元中的所述第二两者或两者以上中的所述另一者可从所述第一组的多个I/O中的所述第二I/O中的一行指定的参考单元中进行选择。9.根据权利要求8所述的MRAM，其中所述第二组的多个I/O中的所述第一I/O中的所述行指定的参考单元中的所述指定的参考单元是被编程到表示二进制0的状态的指定的二进制0参考单元，且所述第二组的多个I/O中的所述第二I/O中的所述行指定的参考单元中的所述指定的参考单元是被编程到表示二进制1的状态的二进制1指定的参考单元。10.根据权利要求9所述的MRAM，其中所述第二组的多个I/O中的所述第一I/O中的所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的所述一者是被编程到表示二进制0的状态的指定的二进制0参考单元，且所述第二组的多个I/O中的所述第二I/O中的所述电阻性存储器单元中的所述第一两者或两者以上中的所述一者是被编程到表示二进制1的状态的指定的二进制1参考单元。11.根据权利要求2所述的MRAM，其中所述参考电流源经配置以在所述读取模式切换电路处于所述第一读取模式中且所述第一参考电流流动到所述第二组的多个I/O中的所述第一I/O中的二进制0参考单元同时流动到所述第二组的多个I/O中的所述第二I/O中的二进制1参考单元时，在所述参考节点处产生大致处于表示二进制0的电压与表示二进制1的电压之间的一半的电压。12.根据权利要求3所述的MRAM，其中所述参考电流源进一步经配置以在所述读取模式切换电路处于所述第二读取模式中且所述第二参考电流流动到所述第一组的多个I/O中的所述第一I/O中的指定的二进制0参考单元同时流动到所述第一组的多个I/O中的所述第二I/O中的指定的二进制1参考单元时，在所述参考节点处产生大致处于表示二机制0的电压与表示二进制1的电压之间的一半的电压。13.根据权利要求1所述的MRAM，其进一步包含多个行解码器和用于所述多个行解码器的共享电荷双电压行驱动器，所述共享电荷双电压行驱动器包括：第一切换驱动器晶体管，其将馈给所述多个行解码器的共用字线可切换地耦合到第一电压轨；以及第二切换驱动器晶体管，其将所述共用字线可切换地耦合到第二电压轨。14.根据权利要求13所述的MRAM，其进一步包括耦合到所述多个行解码器中的每一者的字线，其中每一字线具有相关联的字线寄生电容，且其中所述共用字线包含共用字线寄生电容。15.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述MRAM被集成在至少一个半导体裸片中。16.根据权利要求1所述的MRAM，其进一步包括选自由以下各者组成的群组的装置：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机，所述MRAM被集成到所述装置中。17.根据权利要求1所述的MRAM，其中，所述第一组的多个I/O中的第一I/O与所述第一组的多个I/O中的第二I/O是在结构上等同的m列乘n行电阻性存储器阵列，其中，将所述第一组的多个I/O中的第一I/O中的存储器参考单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正丕，金泰贤，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：