【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请一般涉及管理存储器系统中的数据。更具体地，本申请涉及实现改进的编程序列以增强可再编程的非易失性半导体快闪存储器中的晶元(die)交错(interleave)的存储器系统。
技术介绍
当向传统的快闪存储器系统中的多个晶元写数据时，系统控制器通常利用编程序列，在该编程序列中，在处理(transaction)期间，在数据被写到晶元的较低页之前，数据被写到相同晶元的较高页。由于在将数据写到晶元的较高页之后晶元的缓存用于释放的时间量，在系统控制器可以执行向晶元的较低页写入之前的处理期间，系统控制器必须经常空闲地等待达相当长的时间段。
技术实现思路
为了应对减少系统控制器在处理期间必须空闲等待的时间量的需要，在此公开了用于顺序地向存储器器件写数据的方法和系统，其通过在向晶元的较高页写数据之前的处理期间向该晶元的较低页写数据来减少存储器系统必须等待存储器器件的缓存释放的时间量。根据一个方面，公开了用于向诸如通用串行总线(USB)存储器器件的存储器器件顺序地写入数据的方法。在包括第一晶元和第二晶元的存储器器件中，第一晶元和第二晶元的每个包括多页，接收第一数据集。第一数据集被写...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.30 IN 2176/MUM/20101.一种顺序地向存储器器件写入数据的方法，该方法包括: 在包括第一晶元和第二晶元的存储器器件中，第一晶元和第二晶元的每个包括多页: 接收第一数据集； 将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页； 在将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页之后，接收第二数据集； 将所述第二数据集的第一部分写到第二晶元的较低页；以及 在将所述第二数据集的第一部分写到第二晶元的较低页之后，将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页。2.如权利要求1的方法，其中所述第二数据集的第一部分和所述第二数据集的第二部分被写到所述第二晶元的不同页。3.如权利要求1的方法，还包括: 在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之前，将所述第二数据集的第三部分写到所述第一晶元的较高页；以及 在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后，将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。4.如权利要求3的方法，其中在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页包括: 在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后近似320 μ s，将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。5.如权利要求3的方法，其中在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页包括: 在将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页之后立即将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。6.如权利要求3的方法，还包括: 接收第三数据集； 在将所述第二数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页之后，将所述第三数据集的第一部分写到所述第一晶元的较高页； 在将所述第三数据集的第一部分写到所述第一晶元的较高页之后，将所述第三数据集的第二部分写到所述第二晶元的较低页； 在将所述第三数据集的第二部分写到所述第二晶元的较低页之后，将所述第三数据集的第三部分写到所述第二晶元的较高页；以及 在将所述第三数据集的第三部分写到所述第二晶元的较高页之后，将所述第三数据集的第四部分写到所述第一晶元的较低页。7.如权利要求1的方法，其中第一数据集是64千字节的数据并且第二数据集是64千字节的数据。8.如权利要求1的方法，其中在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之后将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页包括: 在将所述第二数据集的第一部分写到所述第二晶元的较低页之后近似20 μ S，将所述第二数据集的第二部分写到所述第二晶元的较高页。9.一种存储器器件，包括: 通信接口 ； 存储器单元，包括第一晶元和第二晶元，第一晶元和第二晶元的每个包括多页；以及；处理器，用于将通过所述通信接口接收的数据顺序地写到所述第一晶元和第二晶元的一页或多页，所述处理器被配置为: 通过所述通信接口接收第一数据集； 将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页； 在将所述第一数据集写到第一晶元和第二晶元的一页或多页之后，通过所述通信接口接收第二数据集； ...
【专利技术属性】
技术研发人员：K达克什纳默西，D尤尔佐拉，R纳加比拉瓦，O施特拉斯伯格，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：
国别省市：
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