半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：线路增层、半导体芯片、电子组件与封装胶体，该半导体芯片覆晶接置于该线路增层的顶面，且具有贯穿的凸块，该电子组件接置于该半导体芯片上，该封装胶体形成于该线路增层的顶面上，且包覆该半导体芯片与电子组件。本发明专利技术能有效提高良率与增进整体散热效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制法
本专利技术涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种堆栈芯片型式的半导体封装件及其制法。
技术介绍
随着时代的进步，现今电子产品均朝向微型化、多功能、高电性及高速运作的方向发展，为了配合此一发展趋势，半导体业者莫不积极研发体积微小、高性能、高功能、与高速度化的半导体封装件，藉以符合电子产品的要求。请参阅第5,202,754与5,270,261号美国专利，其揭露一种半导体封装件及其制法，其主要通过于一具有多个半导体芯片的晶圆中埋设有蚀刻停止层（etchstoplayer），并将该晶圆接合（bond）至一承载板上，接着，进行蚀刻步骤，使该晶圆的厚度减少至该蚀刻停止层处，并于该晶圆中形成有贯穿的硅穿孔（Through-SiliconVia，简称TSV），且于该硅穿孔中形成有导电通孔，最后再将该晶圆从该承载板去除（debond），而最终可得到厚度较薄的半导体芯片，则可使用该半导体芯片来堆栈完成一整体体积较小且高功能的3D-IC封装件。但是，前述现有专利在从该承载板上取下该半导体芯片时，容易使厚度较薄的半导体芯片毁损；又接合与去除的步骤容易使晶圆破裂或毁损；且现有的制法是以整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其包括：线路增层，其具有多个外露于其顶面的电性连接垫；第一半导体芯片，其覆晶接置于该线路增层的顶面，且具有相对的第一作用面与第一非作用面，该第一作用面具有多个电性连接该电性连接垫的第一电极垫，于该第一非作用面之侧形成有多个第一通孔，且于各该第一通孔中形成有电性连接该第一电极垫的第一凸块；电子组件，其接置于该第一半导体芯片上，且电性连接该第一凸块；以及封装胶体，其形成于该线路增层的顶面上，且包覆该第一半导体芯片与电子组件。

【技术特征摘要】
2012.05.11 TW 1011168011.一种半导体封装件，其包括：线路增层，其具有多个外露于其顶面的电性连接垫；第一半导体芯片，其覆晶接置于该线路增层的顶面，且具有相对的第一作用面与第一非作用面，该第一作用面具有多个电性连接该电性连接垫的第一电极垫，于该第一非作用面之侧形成有多个第一通孔，且于各该第一通孔中形成有电性连接该第一电极垫的第一凸块；电子组件，其接置于该第一半导体芯片上，且该电子组件以铜柱与焊锡覆晶接置于该第一凸块上并电性连接该第一凸块；以及封装胶体，其形成于该线路增层的顶面上，且包覆该第一半导体芯片与电子组件。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路增层具有多个外露于其底面的焊垫。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该电性连接垫的顶面还包括导电层与其上的第一焊料。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，于该第一半导体芯片的第一非作用面上还形成有导热层。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括散热罩，其设于该封装胶体外，且该散热罩连接该导热层。6.一种半导体封装件，其包括：承载板，其具有多个外露于其顶面的电性连接垫；第一半导体芯片，其覆晶接置于该承载板的顶面，且具有相对的第一作用面与第一非作用面，该第一作用面具有多个电性连接该电性连接垫的第一电极垫，于该第一非作用面之侧形成有多个第一通孔，且于各该第一通孔中形成有电性连接该第一电极垫的第一凸块，又于该第一半导体芯片的第一非作用面上形成有导热层；电子组件，其接置于该第一半导体芯片上，且该电子组件以铜柱与焊锡覆晶接置于该第一凸块上并电性连接该第一凸块；以及封装胶体，其形成于该承载板的顶面上，且包覆该第一半导体芯片与电子组件，并外露该导热层边缘。7.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该第一通孔外露该第一电极垫。8.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该第一通孔外露与该第一电极垫电性连接的任一线路层。9.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该第一凸块的材质为镍、锡、银、铜、钯、金、铝的其中一者或其组合。10.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该电子组件为半导体芯片、被动组件或封装件。11.根据权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该承载板为电路板或封装基板。12.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该封装胶体包括包覆该第一半导体芯片的第一封装胶体与包覆该电子组件的第二封装胶体。13.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体芯片与电子组件之间还设置有第二半导体芯片。14.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，于该第一半导体芯片的第一非作用面上还形成有电性连接该第一凸块的线路层。15.根据权利要求1或6所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括散热罩，其设于该封装胶体外。16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其特征在于，该散热罩与封装胶体之间还形成有散热胶。17.根据权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括散热罩，其设于该封装胶体外，且该散热罩连接该导热层。18.一种半导体封装件的制法，其包括：提供一承载板，其具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面上形成有线路增层，该线路增层具有多个外露于该线路增层顶面的电性连接垫；于该线路增层上覆晶接置第一半导体芯片，该第一半导体芯片具有相对的第一作用面与第一非作用面，该第一作用面具有多个电性连接该电性连接垫的第一电极垫；从该第一非作用面之侧薄化该第一半导体芯片；于该第一非作用面之侧形成多个第一通孔；于各该第一通孔中形成电性连接该第一电极垫的第一凸块；于该第一半导体芯片上接置电子组件，该电子组件以铜柱与焊锡覆晶接置于该第一凸块上并电性连接该第一凸块；以及于该线路增层上形成包覆该第一半导体芯片与电子组件的封装胶体。19.一种半导体封装件的制法，其包括：提供一承载板，其具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面上形成有多个电性连接垫；于该第一表面上覆晶接置第一半导体芯片，该第一半导体芯片具有相...

【专利技术属性】
技术研发人员：程吕义，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：