【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属硅化物制造方法，包括步骤：在含硅衬底上形成特征线条；在含硅衬底和特征线条上形成镍基金属层，其中镍基金属层的厚度大于由源漏结深确定的形成镍基金属硅化物所需的最小厚度；执行第一退火，使得镍基金属层与含硅衬底反应形成均匀厚度的第一镍基金属硅化物；去除未反应的金属后，执行第二退火，使得第一镍基金属硅化物转化为均匀厚度的第二镍基金属硅化物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，邓坚，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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