MOSFET制造方法技术

本发明专利技术公开了一种MOSFET制造方法，包括：在衬底上形成牺牲栅极堆叠；以牺牲栅极堆叠为掩膜，对衬底离子注入形成源漏区；在衬底以及牺牲栅极堆叠上沉积层间介质层；移除牺牲栅极堆叠，在层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽内侧壁上形成内栅极间隔壁；在栅极沟槽中形成栅极绝缘层和栅极导电层。依照本发明专利技术的MOSFET制造方法，通过在移除牺牲栅极之后形成内侧间隔壁，有效提高了高k材料和金属栅极填充率，避免了栅极间隔壁受损，提高了器件加工精度，并最终改善了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MOS?FET制造方法，包括：在衬底上形成牺牲栅极堆叠；以牺牲栅极堆叠为掩膜，对衬底离子注入形成源漏区；在衬底以及牺牲栅极堆叠上沉积层间介质层；移除牺牲栅极堆叠，在层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽内侧壁上形成内栅极间隔壁；在栅极沟槽中形成栅极绝缘层和栅极导电层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何卫，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：