绝缘体上半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术的一个方面，提供一种绝缘体上半导体结构，包括：衬底(100)；晶体介质层(101)，其形成于所述衬底上；晶体器件层(102)，其形成于所述晶体介质层(101)上。相应地，本发明专利技术还提供了一种绝缘体上半导体的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底(100)；在所述衬底(100)上形成晶体介质层(101)；在所述晶体介质层(101)上形成晶体器件层(102)。本发明专利技术使用体衬底或者SOI衬底作为基底，之后形成晶体介质层和晶体器件层，节约了材料，降低了成本；且本发明专利技术中的晶体介质层直接形成于衬底表面，可以减小晶体介质层的缺陷，提高SOI的质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种绝缘体上半导体结构，包括：衬底(100)；晶体介质层(101)，其形成于所述衬底(100)上；晶体器件层(102)，其形成于所述晶体介质层(101)上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟汇才，赵超，梁擎擎，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：