【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧衬底中的多个源漏区、衬底上的层间介质层，其特征在于：源漏区沿第一方向分布，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且栅极堆叠结构进一步包括，隧穿介质层、存储介质层、栅极层间电介质层以及控制栅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，赵超，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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