【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法，特别涉及一种封闭型(closed cell)沟槽式功率半导体元件及其制造方法。
技术介绍
沟槽式功率半导体元件的结构可区分为封闭型(closed cell)与长条型(stripedcell)，二者的主要差异在于沟槽式栅极结构的分布方式。对于长条型沟槽式功率半导体元件而言，沟槽式栅极结构为长条状，等距分布于沟槽式功率半导体元件的本体层内。对于封闭型沟槽式功率半导体元件而言，沟槽式栅极结构则是呈网状分布于沟槽式功率半导体元件的本体层内，并于本体层内定义出多个方形区域。相较于长条型沟槽式功率半导体元件，封闭型沟槽式功率半导体元件在芯片的单位面积内，可提供较大的通道宽度(channelwidth)，从而有助 于降低功率半导体元件的导通电阻。图1为一典型封闭型沟槽式功率半导体元件的俯视图。如图1所示，此封闭型沟槽式功率半导体元件的沟槽式栅极结构呈网状分布于本体层中，并于本体层内定义出多个方形区域10，即单位晶胞。源极区101位于此方形区域10内，且邻接于沟槽式栅极结构102。在此方形区域10的中央处并具有一重掺杂区103...
【技术保护点】
一种封闭型沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该封闭型沟槽式功率半导体元件包括：基材；多个单位晶胞，数组排列于该基材内，各该单位晶胞包括：本体区；沟槽式栅极，环绕该本体区的周围；其中，该沟槽式栅极的至少一侧壁在朝向该本体区之侧具有凹陷。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张渊舜，涂高维，蔡依芸，
申请(专利权)人：帅群微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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