【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体装置，尤其涉及晶体管的栅极的保护电路的构成技术。
技术介绍
作为功率控制用的晶体管，广泛采用大功率MOSFET (Metal — Oxide —Semiconductor Field 一 Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)或绝缘栅极双极晶体管(IGBT:Insulated Gate BipolarTransistor)。在这种晶体管中，往往在栅极设有被称为钳位二极管、稳压二极管的保护电路，以便增大对由于静电放电或外部连接的电感器等形成的浪涌电压的耐性。在专利文献1、2中公开了设有这种保护电路的半导体装置。专利文献I记载的半导体装置具有:作为有源元件发挥作用的半导体元件；作为连接所述半导体元件的端子而与电源连接的第一主端子和第二主端子；以及控制流向所述第一主端子和所述第二主端子之间的电流的控制端子，在所述第一主端子和所述控制端子之间设有:对所述第一主端子与所述控制端子之间的电压进行分压的分压元件；以及输出由所述分压元件分压后的电压的电压检测端子。更具体地讲，在IGBT的集电极与栅极之间设置相当于稳压二极管的钳位二极管...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：晶体管，具有栅极电极、第1电极和第2电极；以及第1及第2保护电路，一端共同与所述栅极电极连接，另一端分别与所述第1电极及第2电极连接，所述第1及第2保护电路分别构成于在一个场绝缘膜上分离形成的第1及第2多晶硅层内。
【技术特征摘要】
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