温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种封闭型沟槽式功率半导体元件及其制造方法，该封闭型沟槽式功率半导体元件包括一基材、多个单位晶胞；其中，多个单位晶胞，数组排列于基材内；且各单位晶胞包括一本体区与一沟槽式栅极；上述沟槽式栅极，环绕本体区的周围，且沟槽式栅极的至少一...
该专利属于帅群微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过帅群微电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。