【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种功率半导体芯片栅电阻，其特征在于，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，罗海辉，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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