【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体器件有源区；位于所述半导体器件有源区上的电极形状控制层，所述电极形状控制层中含有铝元素，所述全部或部分电极形状控制层中铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少；所述电极形状控制层上设有电极区，所述电极区设有向半导体器件有源区延伸并纵向贯穿所述电极形状控制层的凹槽，所述凹槽的侧面全部或部分为斜坡、或向两侧凹陷的弧形坡、或向中间凸出的弧形坡；全部或部分位于所述电极区中凹槽内的电极，所述电极形状与凹槽形状对应设置，所述电极底部与半导体器件有源区相接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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