【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部的掺杂类型为N型，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二鳍部，所述第二鳍部的掺杂类型为P型；位于所述第一鳍部底部两侧的第一侧墙；位于所述第一鳍部顶部两侧的第二侧墙，所述第二侧墙具有拉应力；位于所述第二鳍部底部两侧的第三侧墙，所述第三侧墙具有拉应力；位于所述第二鳍部顶部两侧的第四侧墙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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