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一种CMOS及其形成方法，其中所述CMOS，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部的掺杂类型为N型，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二鳍部，所述第二鳍部的掺杂类型为P...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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