半导体晶片的洗净方法技术

本发明专利技术提供一种半导体晶片的洗净方法，其是将半导体晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的半导体晶片洗净的工序，并且，使由于前述SC1洗净液所造成的半导体晶片的蚀刻耗损成为0.1～2.0nm。由此，提供一种半导体晶片的洗净方法，其能够降低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：椛泽均，阿部达夫，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：
国别省市：